[发明专利]双等离子体超薄隐埋氧化无效
| 申请号： | 200710169540.2 | 申请日： | 2007-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101207021A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 约努茨·拉杜;奥德丽·兰伯特 | 申请（专利权）人： | 硅绝缘体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 超薄 氧化 | ||
1.一种用于键合以从半导体材料之中选择的材料实现的两片基板的方法，所述方法执行：
通过热处理来键合所述两片基板的步骤；
对各基板的要键合的表面的等离子体激活，所述两片基板中的第一基板的要键合的表面包括氧化层，
该方法的特征在于，在包含氧气的气氛下执行对所述氧化层的等离子体激活，在中性气氛下执行对第二基板的要键合的表面的等离子体激活。
2.根据权利要求1所述的键合方法，其特征在于，表面包括氧化层的基板是用于针对受主基板进行层转移的施主基板。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化层是通过对所述施主基板的热氧化来获得的。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化层淀积在所述施主基板上。
5.根据前三项权利要求中的一项所述的方法，其特征在于，所述转移使得可以获得绝缘体上硅型结构。
6.根据前一权利要求所述的方法，其特征在于，所述绝缘体上硅包括厚度小于500_的超薄隐埋氧化型薄层。
7.根据前五项权利要求中的一项所述的方法，其特征在于，所述受主基板是硅。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述中性气体是氩气。
9.根据前一权利要求所述的方法，其特征在于，等离子体激活过程中的功率密度是0.4W/cm2。
10.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法，其特征在于，所述中性气体是氮气。
11.根据前一权利要求所述的方法，其特征在于，等离子体激活过程中的功率密度是0.8W/cm2。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，结合权利要求2，其特征在于，在所述等离子体激活步骤之前，所述受主基板经受清洁步骤。
13.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，结合权利要求2，其特征在于，在所述等离子体激活步骤之前，所述施主基板经受清洁步骤。
14.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述热键合处理在低温下执行。
15.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述热键合处理在200℃与600℃之间执行。
16.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述热键合处理执行短的持续时间。
17.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其特征在于，所述热键合处理执行大约2小时。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
