[发明专利]对充电对象元件供给充电电流的半导体器件

权利要求书

1.一种对充电对象元件供给充电电流的半导体器件，其特征在于，包括：

第1导电类型的半导体层；

第2导电类型的第1半导体区，具有与上述充电对象元件的第1电极耦合的第1节点以及与供给电源电压的电源电位节点耦合的第2节点，并形成在上述半导体层的主表面上；

第1导电类型的第2半导体区，具有与上述电源电位节点耦合的第3节点，在上述第1半导体区的表面上与上述半导体层空出间隔而形成；以及

电荷载流子移动限制部，限制电荷载流子从上述第3节点向上述半导体层移动。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述电荷载流子移动限制部包含被连接在上述电源电位节点与上述第2半导体区之间的电阻。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述电荷载流子移动限制部包含第1导电类型的半导体区，该第1导电类型的半导体区在上述第2半导体区的表面上与上述第1半导体区空出间隔而形成，具有上述第3节点，同时其杂质浓度比上述第2半导体区高。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述电荷载流子移动限制部包含上述第2半导体区，

上述第2半导体区具有可使电荷载流子从上述第1半导体区向上述第3节点移动的规定值或其以下的杂质浓度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述电荷载流子移动限制部包含上述第2半导体区，

上述第2半导体区在上述第1半导体区与上述第2半导体区的层叠方向的长度为规定值或其以上，或者在上述第1半导体区与上述第2半导体区的层叠方向的宽度为规定值或其以下。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体器件还包括：

第1晶体管，具有由上述半导体层形成的第1导通电极、由上述第1半导体区形成的控制电极和由上述第2半导体区形成的第2导通电极；以及

第2晶体管，具有由上述第1半导体区和上述第2半导体区形成的控制电极、由上述第1半导体区形成的第1导通电极和第2导通电极。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体器件还包括二极管，该二极管具有与上述第1半导体区耦合的第2导电类型电极、以及与上述电源电位节点耦合的第1导电类型电极。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体器件还包括二极管，该二极管具有与上述第2半导体区耦合的第1导电类型电极、以及与上述电源电位节点耦合的第2导电类型电极。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体器件还包括第3晶体管，该第3晶体管具有由上述第1半导体区形成的第1导通电极和由上述第2半导体区形成的控制电极和第2导通电极。

10.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体器件还包括：

第2导电类型的第3半导体区，具有上述第3节点，在上述第2半导体区的表面上与上述第1半导体区空出间隔而形成；以及

第3晶体管，具有由上述第1半导体区形成的第1导通电极、由上述第2半导体区形成的控制电极和由上述第3半导体区形成的第2导通电极。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体器件还包括二极管，该二极管具有与上述第2半导体区耦合的第1导电类型电极和与上述电源电位节点耦合的第2导电类型电极，其正向电压比上述第2半导体区与上述第3半导体区之间的正向电压小。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体器件还包括第4晶体管，该第4晶体管具有在上述第2半导体区的表面上隔着绝缘膜形成的同时与上述电源电位节点耦合的控制电极、由上述第1半导体区形成的第1导通电极和由上述第3半导体区形成的第2导通电极。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

上述半导体器件还包括二极管，该二极管具有与上述第2半导体区耦合的第1导电类型电极、以及与上述电源电位节点耦合的第2导电类型电极，并将所施加的反向电压箝位于规定的电压值。