[发明专利]脉冲励磁电路有效
申请号: | 200710168269.0 | 申请日: | 2007-10-31 |
公开(公告)号: | CN101425429A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 吕永祥;吕浩 | 申请(专利权)人: | 吉林永大电气开关有限公司 |
主分类号: | H01H47/02 | 分类号: | H01H47/02;H01H71/32;H01H9/54 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 132013吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 脉冲 磁电 | ||
1.一种脉冲励磁电路,其中直流电源的正极与继电器J1的第一常开点连接,继电器J2的第二常开点、继电器J3的第二常开点与直流电源的负极连接,由继电器J1、J2、辅助开关FK(11)控制正向励磁回路的接通、断开与储能;由继电器J3控制反向励磁回路的接通与断开;其特征在于:继电器J1的第二常开点、可控硅K1、线圈L、二极管D3和电容CF串联后接电源负极,线圈L与二极管D3间的节点(3)为辅助开关FK(11)的常闭点,辅助开关FK(11)与继电器J2的第一常开点连接,当继电器J1的第一常开点与第二常开点、J2的第一常开点与第二常开点闭合接通后成为本电路的正向励磁回路;
所述正向励磁回路包括可控硅K1延时触发电路、低电压截止电路、尖脉冲吸收电路、操作电压检测电路、辅助开关FK(11)限流电路和充电储能电路;
其中,所述可控硅K1延时触发电路以将“二极管D1、电阻R3、可控硅K2、电容C1串联后跨接在继电器J1的第二常开点与线圈L之间,电阻R1与电容C1并联,可控硅K1的控制极与电容C1的正极连接”而构成;
所述低电压截止电路以将“压敏电阻RV1与二极管D1的负极连接后串联电阻R4,电阻R4的另一端与可控硅K2的控制极连接”而构成;
所述尖脉冲吸收电路以将“电容C2跨接在可控硅K2的控制极与阴极之间”而构成;
所述操作电压检测电路以将“电阻R2、可调电阻W串联后跨接在可控硅K2控制极与线圈L之间”而构成;
所述辅助开关FK(11)限流电路以将“电阻R9与二极管D3并联”而构成;
所述充电储能电路以将“当本回路工作的过程中,辅助开关FK(11)在外力作用下,与所述节点(3)分离后,线圈L与电容CF间进行能量转换”而构成;
电阻R5、可控硅K3串联后跨接在线圈L与继电器J3的第一常开点之间,当辅助开关FK(11)由常闭点(3)切换到常开点(4),继电器J1、J2的常开点再由闭合接通状态变为断开状态,继电器J3的第一常开点与第二常开点闭合接通后成为本电路的反向励磁回路;
所述反向励磁回路包括可控硅K3延时触发电路;
其中,所述可控硅K3延时触发电路以将“二极管D2、电阻R7、电容C3串联后跨接在可控硅K3的阳极与继电器J3的第一常开点之间,电阻R8与电容C3并联,电阻R6与二极管D2的负极连接后串联可控硅K4,可控硅K4的阴极与可控硅K3的控制极连接,可控硅K4的控制极与电容C3的正极连接”而构成。
2.根据权利要求1所述的脉冲励磁电路,其特征在于:可控硅K1延时触发电路的延时触发时间由调整电阻R3及电容C1的参数整定。
3.根据权利要求1所述的脉冲励磁电路,其特征在于:可控硅K3延时触发电路的延时触发时间由调整电阻R7及电容C3的参数整定。
4.根据权利要求1所述的脉冲励磁电路,其特征在于:线圈L与电容CF的能量转换参数,由调整线圈L安匝结构及电容CF的参数整定。
5.根据权利要求1所述的脉冲励磁电路,其特征在于:正向励磁回路的操作电压检测电路,能够由调整电阻R2、可调电阻W的参数精确整定最低操作电压。
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