[发明专利]轧制铜箔及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及轧制铜箔，尤其涉及适合于柔性印刷电路板等柔性配线部件的具有优良的弯曲特性的轧制铜箔及其制造方法。

背景技术

柔性印刷电路板(Flexible Printed Circuit，以下简称为PFC)由于具有厚度薄、柔性优良的特性，因而，其对电子设备等的安装形态的自由度很高。因此，现在，折叠式移动电话的折弯部分、数码相机、打印机头等的活动部分以及硬盘驱动器(HDD-Hard Disk Drive)及DVD(Digital Versatile Disk)、CD(Compact Disk)等有关盘的设备的活动部分的配线等都广泛地使用了FPC。

作为FPC的导体，一般使用进行了各种表面处理的纯铜箔或铜合金箔(以下，简称为“铜箔”)。铜箔根据其制造方法的不同，分为电解铜箔和轧制铜箔两大类。FPC如上所述，由于用作反复活动部分的配线材料而要求具有优良的弯曲特性(例如，100万次以上的弯曲特性)，作为铜箔使用轧制铜箔者居多。

一般，轧制铜箔的制造方法是：在对作为原材料的反射炉精炼铜(JISH3100 C1100)或无氧铜(JIS H3100 C1020)的铸锭进行热轧之后，经反复进行冷轧和中间退火直到预定的厚度。FPC用的轧制铜箔所要求的厚度通常为50μm以下，但最近有使其进一步薄到十几μm以下的倾向。

FPC的制造工序简要的说包括：“将FPC用铜箔与聚酰亚胺等树脂构成的底膜(基材)粘贴，形成铜包层(CCL-Copper Claded Laminate)的工序(CCL工序)”，“通过刻蚀等方法在该CCL上形成电路配线的工序”，“为保护该电路上的配线进行表面处理的工序”等。CCL工序有如下两种方法：借助于粘结剂将铜箔和基材叠层后，通过热处理使粘结剂固化而紧密连接(三层CCL)的方法，以及不使用粘结剂，将进行了表面处理的铜箔直接贴合在基材上之后，经加热、加压处理而形成一体的二层CCL的方法。

这里，在FPC的制造工序中，从制造的容易性的观点来看，多使用经轧轧加工后的铜箔(处于加工硬化后的硬质状态)。这是因为，若铜箔处于退火后的(软化)状态，在铜箔裁断或与基材叠层时，容易产生形成残次品的铜箔变形(例如，延伸、折皱、折断等)。

另一方面，铜箔的弯曲特性通过再结晶退火后比轧制加工后显著提高。因此，在为使上述的CCL工序中的基材和铜箔紧密贴合而形成一体的热处理中，一般选择兼带铜箔再结晶退火的制造方法。此外，这时的热处理条件为在180℃-300℃处理1-60分钟(典型的是200℃30分钟)，铜箔变为调质成再结晶组织的状态。

为了提高FPC的弯曲特性，提高作为其原材料的轧制铜箔的弯曲特性是有效的。另外，公知的是，通常，再结晶退火后的铜箔的弯曲特性，其立方体织构越发达越佳。另外，一般所说的“立方体织构发达”仅仅是指在轧制面中{200}_Cu面的占有率高(例如，85％以上)。

一直以来，作为弯曲特性优良的轧制铜箔，有如下一些报告：通过提高最终轧制的压下量(例如，90％以上)而使立方体织构发达的方法以及规定了再结晶退火后的立方体织构的发达程度的铜箔(例如，轧制面的以X射线衍射求得的{200}面的强度大于以粉末X射线衍射求得的(200)面的强度20倍以上)，规定了铜箔板厚方向的贯通晶粒的比例的铜箔(例如，截面面积率为40％以上)，通过添加微量添加元素来控制软化温度的铜箔(例如，控制到120℃-150℃的半软化温度)，规定了双晶间界的长度的铜箔(例如，长度超过5μm的双晶间界每1mm²的面积的合计长度为20mm以下)，通过添加微量添加元素控制了再结晶织构的铜箔(例如，通过添加0.01-0.2质量％的Sn，将平均晶粒直径控制在5μm以下，将最大晶粒直径控制在15μm以下)等。(以上这些技术可参照专利文献1-日本特许第3009383号公报，专利文献2-日本特开2006-117977号公报，专利文献3-日本特开2000-212661号公报，专利文献4-日本特开2000-256765号公报，专利文献5-日本特开2001-323354号公报，专利文献6-日本特开2001-262296号公报，专利文献7-日本特开2005-68484号公报)。

然而，近年来，随着电子设备类的小型化，高集成化，(高密度地安装)及高性能化等的进展，与过去相比，对FPC要求更高的弯曲性能日益提高。由于FPC的弯曲特性实质上由铜箔的弯曲特性决定，因而，为了满足要求必须进一步提高铜箔的弯曲特性。

发明内容