[发明专利]高压元件与高压元件的顶层的制造方法

权利要求书

1、一种高压元件，包括：

第一导电型的基底；

栅极，设置于该基底上；

第二导电型的阱区，设置于该栅极一侧的该基底中；

第二导电型的源极区，设置于该栅极另一侧的该基底中；

第二导电型的漏极区，设置于该阱区的该基底中；

多个导电层，设置于该栅极与该漏极区之间的该基底上；

第一导电型的顶层，设置于这些导电层下方的该阱区的该基底中，其中，接近该栅极的部分该顶层的厚度大于远离该栅极的部分该顶层的厚度。

2、如权利要求1所述的高压元件，其中该顶层包括接近该栅极的第一部分与远离该栅极的第二部分，且该第一部分厚于该第二部分。

3、如权利要求1所述的高压元件，其中该顶层上方的其中一导电层，覆盖住该第一部分与该第二部分之间的交界处。

4、如权利要求1所述的高压元件，其中该顶层远离该栅极的末端，位于该导电层下方。

5、如权利要求1所述的高压元件，其中该第一部分的横向尺寸约占该顶层横向尺寸的25％～50％。

6、如权利要求1所述的高压元件，其中这些导电层是作为场平板之用。

7、如权利要求1所述的高压元件，其中该阱区延伸至该栅极下方的该基底中。

8、如权利要求1所述的高压元件，其中该第一导电型为P型。

9、如权利要求1所述的高压元件，其中该第二导电型为N型。

10、一种高压元件的顶层的制造方法，适用于第一导电型的基底，该基底上已形成有至少一栅极与多个导电层，该栅极一侧的该基底中形成有第二导电型的阱区，且这些导电层位于该阱区的该基底上，该方法包括：

进行第一离子注入工艺，在预定区域注入第一导电型离子，该预定区域位于该阱区的该基底中，且接近该栅极，该预定区域包括接近该栅极的第一区域；以及

进行第二离子注入工艺，在该第一区域的该基底中注入第一导电型离子。

11、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中该预定区域上的其中一导电层，覆盖住该第一区域远离该栅极的末端。

12、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中该预定区域远离该栅极的末端，位于该导电层下方。

13、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中该第一区域的横向尺寸约为该预定区域的横向尺寸的25％～50％。

14、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中该第二离子注入工艺与该第一离子注入工艺的注入剂量约略相同。

15、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中该第二离子注入工艺与该第一离子注入工艺的注入能量约略相同。

16、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中该栅极与这些导电层是于同一步骤中所形成的。

17、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中于该预定区域注入第一导电型离子的方法包括：

在该基底上形成图案化掩模层，裸露出该预定区域；

进行该第一离子注入工艺，在该预定区域注入第一导电型离子；以及

移除该图案化掩模层。

18、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，·其中于该第一区域注入第一导电型离子的方法包括：

在该基底上形成图案化掩模层，裸露出该第一区域；

进行该第二离子注入工艺，在该预定区域注入第一导电型离子；以及

移除该图案化掩模层。

19、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中该第一导电型为P型。

20、如权利要求10所述的高压元件的顶层的制造方法，其中该第二导电型为N型。