[发明专利]移除晶片上的颗粒的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件的工艺方法，且特别涉及一种移除晶片上的颗粒的方法。

背景技术

在进行半导体工艺时，通常会有各种颗粒(particle or defect)沉降在晶片表面上。沉降在晶片表面上的颗粒将可能导致元件无法运作，造成成品率上的问题。因此，去除沉降在晶片表面上的颗粒一直是值得重视的问题。举例来说，在65纳米以下的工艺中，为能降低接触电阻，提升热稳定性，改善漏电流与缺陷问题，在硅化镍中通常会加入铂。然而，目前在进行自动对准硅化工艺之后去除未反应的镍铂金属后，在晶片的表面上仍残留有许多的颗粒。由于去除未反应的镍铂金属后的最终清洗程序是在湿法清洗站(wetstation)中以批式旋转(batch spin)的方式利用固定的转数一次处理25至50片的晶片，因此，其所能去除颗粒的能力非常有限且会有不均匀的问题，其移除颗粒的效果不佳。

发明内容

本发明就是在提供一种方法，其可以有效移除晶片上的颗粒，减少颗粒的数目，增加工艺的成品率。

本发明提出一种移除晶片上的颗粒的方法，用于硅化金属工艺的移除未反应的金属层步骤之后的晶片。此方法包括进行至少两个阶段中间清洗程序，各阶段中间清洗程序包括先进行高速旋转晶片的步骤，再进行低速旋转晶片的步骤。

本发明还提出一种移除晶片上的颗粒的方法，用于硅化金属工艺的移除未反应的金属层步骤之后的晶片，包括：进行至少两个阶段中间清洗程序，各阶段中间清洗程序的转速与时间相同并包括先进行高速旋转晶片的步骤，再进行低速旋转晶片的步骤，其中进行高速旋转晶片的步骤之前还包括进行初始设定旋转晶片的步骤。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，同一个阶段的中间清洗程序中的高速旋转晶片的步骤以及低速旋转晶片的步骤中的马达旋转的方向相同。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，相邻两阶段的中间清洗程序的马达旋转的方向不同。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，高速旋转晶片的步骤的晶片旋转的速率为100至300rpm。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，低速旋转晶片的步骤的晶片旋转的速率为20至100rpm。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，进行高速旋转晶片的步骤的时间为5秒至30秒。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，进行低速旋转晶片的步骤的时间为5秒至30秒。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，高速旋转晶片的步骤的转速是低速旋转晶片的步骤的转速的3倍至10倍。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，低速旋转晶片的步骤包括第一低速旋转晶片的步骤与第二低速旋转晶片的步骤，其中第二低速旋转晶片的步骤的转速低于第一低速旋转晶片的步骤者。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，第一低速旋转晶片的步骤的转速是第二低速旋转晶片的步骤的转速的2倍至5倍。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，进行高速旋转晶片的步骤之前还包括进行初始设定旋转晶片的步骤。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，是以35rpm的速度达到进行高速旋转晶片的步骤的转速。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，是以30rpm的速度降低到进行低速旋转晶片的步骤的转速。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，各阶段中至少有一阶段所通入的清洗液包括去离子水。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，各阶段中至少有一阶段是先在腔室侧边喷洒热去离子水并在清洗腔室中心喷洒冷去离子水，再于清洗腔室侧边与清洗腔室中心同时喷洒热去离子水。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，热去离子水的温度为摄氏50度至100度。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，冷去离子水的温度为室温。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，各阶段中至少有一阶段所通入的清洗液包括化学品。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，在进行各阶段中间清洗程序时还同时进行超声波振荡。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法还包括最终清洗程序。

依照本发明实施例所述，上述的移除晶片上的颗粒的方法中，最终清洗程序是通入摄氏50度至100度的去离子水清洗。