[发明专利]画素结构、其驱动方法以及画素阵列结构有效

专利信息
申请号: 200710167018.0 申请日: 2007-10-23
公开(公告)号: CN101145329A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 苏振嘉;苏亭伟;徐文浩 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: G09G3/36 分类号: G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 郭蔚
地址: 台湾省新竹科学*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 结构 驱动 方法 以及 阵列
【权利要求书】:

1.一种画素结构,与一数据线以及一扫描线电性连接,该画素结构包括:

一第一主动元件,与该数据线以及该扫描线电性连接;

一第二主动元件,与该数据线以及该扫描线电性连接;

一第一画素电极,电性连接该第一主动元件,该第一画素电极包括彼此电性连接的一第一电极区块以及一第二电极区块;

一第二画素电极,电性连接该第二主动元件,该第二画素电极与该第一画素电极电性绝缘,且该第二画素电极将该第一电极区块以及该第二电极区块分离;

一第一电容电极;以及

一第二电容电极,该第一画素电极与该第一电容电极间构成一第一电容,该第一画素电极与该第二电容电极间构成一第二电容,而该第二画素电极与该第一电容电极间构成一第三电容,该第二画素电极与该第二电容电极间构成一第四电容,其中该第一电容与该第二电容具有不同的电容值,而该第三电容与该第四电容具有不同的电容值。

2.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该第一电容的电容值大于该第二电容的电容值。

3.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该第三电容的电容值小于该第四电容的电容值。

4.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该第一电容的电容值小于该第二电容的电容值。

5.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该第三电容的电容值大于该第四电容电极的电容值。

6.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该第一画素电极更包括一连接部,配置于该第一电极区块以及该第二电极区块之间,并使该第一电极区块以及该第二电极区块电性连接。

7.根据权利要求1所述的画素结构,其特征在于,该第二画素电极包括一中央电极区块以及与该中央电极区块两端连接的一第一端电极区块与一第二端电极区块,且该中央电极区块位于该第一画素电极的该第一电极区块以及该第二电极区块之间。

8.一种驱动方法,适于驱动根据权利要求1~7项中任一项的画素结构,该驱动方法包括:

提供一第一电压于该第一电容电极;以及

提供一第二电压于该第二电容电极,其中该第一电压与该第二电压不同,以使该第一画素电极所在区域呈现的显示亮度与该第二画素电极所在区域呈现的显示亮度不同。

9.根据权利要求8所述的驱动方法,其特征在于,该第一电压与该第二电压间的差值约大于0伏特且约小于20伏特。

10.根据权利要求8所述的驱动方法,其特征在于,更包括提供一影像数据信号至该第一画素电极以及该第二画素电极。

11.一种画素阵列结构,包括:

多条扫描线;

多条数据线,与该些扫描线相交,以围出多个画素区域;

多个第一主动元件,电性连接该些数据线以及该些扫描线;

多个第二主动元件,电性连接该些数据线以及该些扫描线;

多个第一画素电极,位于该些画素区域中,电性连接该些第一主动元件,各该第一画素电极包括彼此电性连接的一第一电极区块以及一第二电极区块;

多个第二画素电极,位于该些画素区域中,电性连接该些第二主动元件,该些第二画素电极与该些第一画素电极电性绝缘,且该些第二画素电极将该些第一电极区块以及该些第二电极区块分离;

多个第一电容电极,各该第一电容电极在相邻的该些画素区域中具有不同的图案;以及

多个第二电容电极,该些第二电容电极位于该些第一电容电极以及该些扫描线之间,且各该第二电容电极在相邻的该些画素区域中具有不同的图案。

12.根据权利要求11所述的画素阵列结构,其特征在于,至少部份该些第一电容电极与至少部份该些第一画素电极间的电容值大于至少部份该些第二电容电极与至少部份该些第一画素电极间的电容值。

13.根据权利要求11所述的画素阵列结构,其特征在于,至少部份该些第一电容电极与至少部份该些第二画素电极间的电容值小于至少部份该些第二电容电极与至少部份该些第二画素电极间的电容值。

14.根据权利要求11所述的画素阵列结构,其特征在于,至少部份该些第一电容电极与至少部份该些第一画素电极间的电容值小于至少部份该些第二电容电极与至少部份该些第一画素电极间的电容值。

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