[发明专利]在工件的轮廓上形成保护层的方法

权利要求书

1、一种在一工件的一轮廓上形成一保护层的方法，其特征在于，所述工件由至少一金属及/或至少一合金制成，所述方法包含下列步骤：

通过一原子层沉积制程及/或一电浆增强原子层沉积制程，在所述工件的所述轮廓上形成一无机层，其中所述无机层即作为所述保护层。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述无机层是在范围从室温至600℃中的一制程温度下形成。

3、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述无机层在完成沉积后进一步在范围从100℃至1500℃中的一温度下进行退火处理。

4、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述至少一金属包含选自由镁、钛、铝、铬、铁、镍、铜、钴、铂、钯以及金所组成的一群组中的其中一个。

5、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述至少一合金包含选自由镁合金、铝合金、钛合金、铬合金、镍合金、铜合金、钴合金、铂合金、钯合金、铁镍合金、铁铂合金、镁铝合金、镁锂合金、铝锂合金、不锈钢、TiNi基记忆合金、TiNiCu基记忆合金、CoCrMo、TiAlV、镍基超合金、钴基超合金以及铁镍基超合金所组成的一群组中的其中一个。

6、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述无机层的组成包含选自由Al₂O₃、AlN、AlP、AlAs、Al_XTi_YO_Z、Al_XCr_YO_Z、Al_XZr_YO_Z、Al_XHf_YO_Z、Bi_XTi_YO_z、BaS、BaTiO₃、CdS、CdSe、CdTe、CaS、CaF₂、CuGaS₂、CoO、Co₃O₄、CeO₂、Cu₂O、CuO、FeO、GaN、GaAs、GaP、Ga₂O₃、GeO₂、HfO₂、Hf₃N₄、HgTe、InP、InAs、In₂O₃、In₂S₃、InN、LaAlO₃、La₂S₃、La₂O₂S、La₂O₃、La₂CoO₃、La₂NiO₃、La₂MnO₃、MoN、Mo₂N、MoO₂、MgO、MnO_x、NiO、NbN、Nb₂O₅、PbS、PtO₂、Si₃N₄、SiO₂、SiC、SnO₂、Sb₂O₅、SrO、SrCO₃、SrTiO₃、SrS、SrS_1-XSe_X、SrF₂、Ta₂O₅、TaO_XN_Y、Ta₃N₅、TaN、Ti_XZr_YO_Z、TiO₂、TiN、Ti_XSi_YN_Z、TiHf_YO_Z、WO₃、W₂N、Y₂O₃、Y₂O₂S、ZnS_1-XSe_X、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnS_1-XSe_X、ZnF₂、ZrO₂、Zr₃N₄以及Zr_XSi_YO_Z所组成的一群组中的至少其中一个。