[发明专利]图像显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200710166857.0 | 申请日: | 2007-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN101165907A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
| 发明(设计)人: | 松村三江子;丰田善章;佐藤健史;波多野睦子 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像显示装置,包括有源矩阵基板,上述有源矩阵基板具有:在绝缘性基板上形成的多条栅极线、和与上述多条栅极线交叉成矩阵状而形成的多条数据线,在上述栅极线与上述数据线的交叉部分形成多个像素,在由上述多个像素构成的显示区域的外侧形成包含用于驱动该像素的驱动电路的外围电路,上述像素具有薄膜晶体管和保持电容,上述外围电路具有薄膜晶体管,
所述图像显示装置的特征在于:
上述栅极线是下层金属膜与上层金属膜的层叠结构,上述保持电容的上部电极是与构成上述栅极线的上述下层金属膜同层的金属膜。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
上述薄膜晶体管,由n沟道传导型和p沟道传导型这2种构成,一者的薄膜晶体管的栅极电极,是与上述栅极电极相同结构的层叠结构,另一者的薄膜晶体管的栅极电极是与上述栅极电极的下层金属膜同层的电极。
3.根据权利要求2所述的图像显示装置,其特征在于:
上述栅极电极的下层金属膜是透明电极。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
上述下层金属膜的膜厚比上述上层金属膜的膜厚薄。
5.根据权利要求4所述的图像显示装置,其特征在于:
上述下层金属膜的膜厚为20nm以上60nm以下。
6.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
构成上述保持电容的下部电极,由具有n型多晶硅的下部电极和具有p型多晶硅的下部电极构成。
7.根据权利要求2所述的图像显示装置,其特征在于:
构成上述薄膜晶体管的上述栅极电极的下层金属膜和上层金属膜的宽度相同。
8.根据权利要求2所述的图像显示装置,其特征在于:
构成上述薄膜晶体管的上述栅极电极的下层金属膜的宽度比上层金属膜的宽度宽。
9.根据权利要求2所述的图像显示装置,其特征在于:
构成上述外围电路中的上述薄膜晶体管的上述栅极电极的下层金属膜的宽度比上层金属膜的宽度宽,构成上述像素中的上述薄膜晶体管的上述栅极电极的下层金属膜和上层金属膜的宽度相同。
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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