[发明专利]控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法

权利要求书

1.一种控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中孔径不同开口的工艺如下：

于目标材料层上依序形成蚀刻抵挡层、含硅材料层与图案化光阻层，该图案化光阻层具有孔径不同的第一开口图案与第二开口图案；以及

依序进行蚀刻该含硅材料层、该蚀刻抵挡层与该目标材料层的步骤，以于对应该第一、该第二开口图案的该目标材料层中分别形成第一开口与第二开口，其中该第一开口的孔径与该第一开口图案的孔径的差异为第一孔径差，该第二开口的孔径与该第二开口图案的孔径的差异为第二孔径差，而第二孔径差与第一孔径差之间的比值称为相对孔径偏差比，其中该第一开口图案的孔径大于该第二开口图案的孔径，

该方法包括：

以该图案化光阻层为掩模，进行第一蚀刻步骤，将该图案化光阻层的图案转移至该含硅材料层上，形成图案化含硅材料层，并于该图案化光阻层及该图案化含硅材料层的侧壁产生高分子膜；

以该图案化光阻层、该图案化含硅材料层及其侧壁的该高分子膜为掩模，进行第二蚀刻步骤，以至少移除曝露出的该蚀刻抵挡层，而形成图案化蚀刻抵挡层；

以该图案化蚀刻抵挡层为蚀刻掩模，移除部分该目标材料层，于该目标材料层中形成该第一、该第二开口；以及

方法中通过调整该第一蚀刻步骤的蚀刻参数及/或该第二蚀刻步骤的蚀刻参数，以得到预设的相对孔径偏差比。

2.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第二蚀刻步骤为进行过度蚀刻步骤，以于该图案化蚀刻抵挡层中形成第一开口的扩口开口图案。

3.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第二蚀刻步骤为进行适量蚀刻步骤，以于该图案化蚀刻抵挡层中形成实质上垂直的开口图案。

4.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第二蚀刻步骤为蚀刻不足步骤，移除曝露出的部分该蚀刻抵挡层；以及

进行第三蚀刻步骤，其为过度蚀刻步骤，移除残留的该蚀刻抵挡层及其下方的部分该目标材料层。

5.如权利要求4所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第三蚀刻步骤为非等向性蚀刻步骤。

6.如权利要求4所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第三蚀刻步骤所使用的蚀刻气体为含氟气体。

7.如权利要求2所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第二蚀刻步骤中通入含氟的烃类化合物作为蚀刻气体，该含氟的烃类化合物为CHxFy，其中x＝1、2、3；y＝1、2、3。

8.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中调整该第一蚀刻步骤的蚀刻参数包括蚀刻气体的流量。

9.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中调整该第二蚀刻步骤的蚀刻参数包括蚀刻时间。

10.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第一开口为共享接触窗开口，且该第二开口为方形接触窗开口。

11.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该蚀刻抵挡层包括I-line光阻。

12.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该含硅材料层为硬掩模底部抗反射层。

13.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该图案化光阻层为193纳米光阻。

14.如权利要求1所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该目标材料层包括介电层。

15.如权利要求3所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第二蚀刻步骤的蚀刻气体为CO、O₂和CF₄。

16.如权利要求4所述的控制孔径不同开口的相对孔径偏差比的方法，其中该第二蚀刻步骤的蚀刻气体为CO、O₂和CF₄。