[发明专利]存储器件及其操作和制造方法

权利要求书

1.一种存储晶体管，包括：

衬底；

在衬底上的遂穿绝缘图形；

在遂穿绝缘图形上的电荷存储图形；

在电荷存储图形上的阻挡绝缘图形；

在阻挡绝缘图形上的栅极，阻挡绝缘图形包围栅极。

2.一种非易失性存储器，包括：

串联的多个如权利要求1中的存储晶体管；和

在串联的多个单元晶体管中每一个之间的多个辅助结构。

3.如权利要求2的非易失性存储器，其中，所述多个辅助结构中的每一个都是虚拟掩模图形。

4.如权利要求3的非易失性存储器，其中，所述每个虚拟掩模图形都是绝缘体。

5.如权利要求3的非易失性存储器，还包括：

在多个存储晶体管每个端部处的选择晶体管，所述选择晶体管包括阻挡绝缘图形和选择栅极，所述阻挡绝缘图形包围选择栅极；和

在每个选择晶体管和多个存储晶体管之间的间隙壁。

6.如权利要求5的非易失性存储器，所述衬底进一步包括在间隙壁下方的掺杂区。

7.如权利要求3的非易失性存储器，还包括：

在多个存储晶体管中每一个端部处的虚拟选择晶体管，所述虚拟选择晶体管包括阻挡绝缘图形和虚拟选择栅极，所述阻挡绝缘图形包围所述虚拟选择栅极；

在虚拟选择晶体管每个端部处的选择晶体管，该选择晶体管包括阻挡绝缘图形和选择栅极，该阻挡绝缘图形包围所述选择栅极；

在每个选择晶体管和多个存储晶体管之间的第一间隙壁；和

在每个虚拟选择晶体管和每个选择晶体管之间的第二间隙壁。

8.如权利要求7的非易失性存储器，所述衬底还包括在第一和第二间隙壁下方的掺杂区。

9.如权利要求2的非易失性存储器，其中所述多个辅助结构中的每一个都是辅助栅极结构。

10.如权利要求9的非易失性存储器，其中所述每个辅助结构都是导体。

11.如权利要求10的非易失性存储器，其中所述每个辅助栅极结构都包括阻挡绝缘图形和辅助栅极。

12.如权利要求9的非易失性存储器，还包括：

在多个单元晶体管的每个端部处的选择晶体管，所述选择晶体管包括阻挡绝缘图形和选择栅极，所述阻挡绝缘图形包围所述选择栅极；和

在每个选择晶体管和多个单元晶体管之间的间隙壁。

13.如权利要求12的非易失性存储器，所述衬底还包括在间隙壁下方的掺杂区。

14.如权利要求9的非易失性存储器，还包括：

在多个单元晶体管的每个端部处的虚拟选择晶体管，所述虚拟选择晶体管包括阻挡绝缘图形和虚拟选择栅极，所述阻挡绝缘图形包围所述虚拟选择栅极；

在虚拟选择晶体管每个端部处的选择晶体管，所述选择晶体管包括阻挡绝缘图形和选择栅极，所述阻挡绝缘图形包围所述选择栅极；

在每个虚拟选择晶体管和多个单元晶体管之间的第一间隙壁；和

在每个虚拟选择晶体管和每个选择晶体管之间的第二间隙壁。

15.如权利要求14的非易失性存储器，所述衬底还包括在第一和第二间隙壁下方的掺杂区。

16.一种叠置的非易失性存储结构，包括：

多个垂直叠置的如权利要求2的存储器；和

在多个垂直叠置存储器中每一个之间的绝缘体。

17.一种系统，包括：

接口，用于接收系统数据和向外发送数据到所述系统；

I/O设备，用于从用户接收输入数据和将输出数据输出到数据；

控制器，用于控制所述系统的操作；

如权利要求2的非易失性存储器，存储由所述控制器执行的指令；和

总线，用于在接口、I/O设备、控制器和非易失性存储器之间传送数据。

18.一种非易失性存储器，包括：

至少一个存储单元结构；和

至少一个辅助栅极单元结构，其中，当所述至少一个存储单元结构处于编程状态时，所述至少一个辅助栅极单元结构也处于编程状态。