[发明专利]带隙基准电路与其启动方法

权利要求书

1.一种带隙基准电路，所述的带隙基准电路包括：

电压产生器，所述的电压产生器包括：

电流镜，所述的电流镜包括至少一个输出端；

运算放大器，耦接到上述电流镜；以及

第一、第二双极型晶体管，分别耦接到上述运算放大器的两个输入端，其中上述第一、第二双极型晶体管中的至少一个是经过导电路径耦接到上述电流镜的输出端；以及

启动电路，用来使能上述电流镜；

其中，当电源启动时，上述启动电路会使能上述电流镜，直到上述第一、第二双极型晶体管中的至少一个操作于前向活动区。

2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，上述启动电路是根据参考电压和上述导电路径上的节点电压来使能上述电流镜。

3.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，上述启动电路包括：

开关晶体管，所述的开关晶体管包括耦接到上述电流镜的控制端的第一端，以及耦接到第一电源电压的第二端；以及

比较器，用来在上述导电路径上的上述节点电压未超过上述参考电压时，导通上述开关晶体管以便使能上述电流镜。

4.如权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，上述启动电路更包括分压电路，耦接于上述第一电源电压和第二电源电压之间，用来产生上述参考电压。

5.如权利要求3所述的带隙基准电路，其特征在于，上述启动电路更包括：

固定电流源，耦接于第二电源电压与连接节点之间；以及

第三双极型晶体管，包括耦接于上述连接节点的射极端以及耦接于上述第一电源电压的集极端，并且以上述第三双极型晶体管的射极电压作为上述参考电压。

6.如权利要求5所述的带隙基准电路，其特征在于，上述第一、第二、第三双极型晶体管是以二极管方式连接的晶体管。

7.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，上述启动电路是根据参考电压与上述第一、第二双极型晶体管中的一个的射极电压使能上述电流镜。

8.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，上述启动电路是根据参考电压与上述运算放大器的两个输入端的一个上的电压使能上述电流镜。

9.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，上述启动电路是在上述导电路径上的上述节点电压未超过上述参考电压时使能上述电流镜。

10.如权利要求9所述的带隙基准电路，其特征在于，上述参考电压不大于上述第一、第二双极型晶体管的临界电压。

11.一种带隙基准电路，包括：

电压产生电路，用来产生定电压，且上述电压产生电路包括：

电流镜，所述的电流镜包括至少一个输出端；

运算放大器，耦接到上述电流镜；以及

第一、第二双极型晶体管，分别耦接到上述运算放大器的两个输入端，其中上述第一、第二双极型晶体管中的至少一个是通过导电路径耦接到上述电流镜的输出端；以及

启动电路，耦接于上述电流镜与上述导电路径上的节点之间。

12.如权利要求11所述的带隙基准电路，其特征在于，上述启动电路包括：

比较器，所述的比较器包括两个分别耦接到上述导电路径上的上述节点与参考电压的输入端；以及

开关晶体管，所述的开关晶体管耦接于第一电源电压与上述电流镜的控制端之间，并且上述开关晶体管包括耦接到上述比较器的输出端的控制端。

13.如权利要求12所述的带隙基准电路，其特征在于，上述比较器的上述输入端分别耦接到上述第一、第二双极型晶体管其中一个的射极端与上述参考电压。

14.如权利要求12所述的带隙基准电路，其特征在于，上述比较器的上述输入端分别耦接到上述运算放大器的两个输入端的其中一个上的电压与上述参考电压。

15.如权利要求12所述的带隙基准电路，其特征在于，上述参考电压不大于上述第一、第二双极型晶体管的临界电压。