[发明专利]一种集成电路装置及存储矩阵

权利要求书

1.一种集成电路装置，其特征在于，包含：

一个晶体管，具有一第一接点、第二接点和第三接点；

一接触栓塞，连接该第一接点；

一金属线，连接且覆盖在该接触栓塞之上；

一第一电阻式存储单元，具有一第一底电极、一第一电阻组件以及一第一顶电极，该第一电阻组件位于该第一底电极与该第一顶电极之间，其中该第一底电极连接并覆盖在该金属线之上，且该第一底电极的截面积小于该第一电阻组件的截面积，且该第一顶电极的电阻率大于或等于该第一底电极的电阻率；以及

一第二电阻式存储单元，具有一第二底电极、一第二电阻组件以及一第二顶电极，该第二电阻组件位于该第二底电极与该第二顶电极之间，其中该第二底电极连接并覆盖在该金属线之上，且该第二底电极的截面积小于该第二电阻组件的截面积，且该第二顶电极的电阻率大于或等于该第二底电极的电阻率。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，该第一和该第二底电极的电阻率高于该金属线。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其特征在于，该晶体管选自一组至少具有多个双极结型晶体管、多个金属氧化物半导体装置和多个鳍式场效应晶体管的群组。