[发明专利]提升显示装置反应时间的过激驱动装置有效
申请号: | 200710166435.3 | 申请日: | 2007-11-07 |
公开(公告)号: | CN101202020A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 黄明松;陈信隆 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G09G3/20;G02F1/133 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提升 显示装置 反应时间 过激 驱动 装置 | ||
技术领域
本发明涉及的是一种提升显示装置反应时间的过激驱动装置,尤其有关利用过激(overdrive)驱动方式来提升液晶显示装置的反应时间。
背景技术
请参考图1(a),图1(a)为一般液晶显示器的方块示意图。液晶显示器10包含液晶面板30、栅极驱动器12与源极驱动器13。液晶面板30包含复数条扫描线(scanlines)32、复数条数据线(data lines)34与复数个像素(pixels)36,其中每一像素36连接至一条相对应的一条扫描线32与一条数据线34,且每一像素36包含一开关38与一液晶组件39。栅极驱动器12与源极驱动器11通过复数条扫描线(scanlines)32与数条数据线(data lines)34,达成控制复数个像素(pixels)36的目的,使影像数据得以显示在液晶显示器10上。
请参考图1(b),假设在时间n-1液晶组件39的电压为Gn-1,如欲在时间n时液晶组件39上的目标电压为Gn,由于液晶反应速度慢的特性,如果直接加诸所述的液晶组件39上的电压为Gn,则液晶组件39上的真正电压在时间n并无法达到目标电压为Gn(如线B所示)。为了加速液晶显示器中液晶的反应速度,一般在驱动液晶时,都会以过激(overdrive)的方式,来驱动液晶。例如,假设在时间n-1液晶组件39的电压为Gn-1,如欲在时间n时液晶组件39上的目标电压为Gn,如直接加诸所述的液晶组件39上的电压为Gn’,如线C所示),则液晶组件39上的真正电压在时间n可以达到目标电压Gn(如线A所示)。
过激(overdrive)驱动方式一般会配合过激(overdrive)驱动表,来找出真正加诸在液晶组件39的电压。图2(a)为一原始未经处理过的过激(overdrive)驱动表的示意图。而过激灰阶值的大小,便是由过激驱动表来查表得知,如图2(a)所示,F2表示前一张画面一特定像素的灰阶值,F1表示本张画面对应所述的特定像素的一对应像素的灰阶值。以256阶(8位)的灰阶色阶来说,所产生的过激驱动表,将会有256×256×256位的大小(意即32Kbytes)。而一般液晶显示器的控制芯片,无法储存如此大容量的数据。此外,利用过激驱动表的方式必须先储存前一张画面的数据,如果每一画面的分辨率为800×600,而每一像素以256阶(8位)的灰阶色阶来说,则需要800×600×256位的大小,而一般单一芯片的液晶显示器控制芯片,无法储存如此大容量的数据。
请参考图2(b)。图2(b)为缩减后的过激驱动表的示意图。如图所示,图2(b)为将图2(a)的分辨率降低,并且把其中部分数据舍去,例如将256阶(8位)的灰阶色阶去掉后5个位或后4个位而成,F2表示前一张画面一特定像素的缩减后灰阶值,F1表示本张画面对应所述的特定像素的一对应像素的缩减后灰阶值。因此,根据图2(b)的过激驱动表,可以得知其大小将缩减为8×8×256位(意即64bytes),明显小于未缩减的过激驱动表。然而减小数据量的结果,将会造成过激驱动力不足而降低液晶反应速度或画面失真。
发明内容
本发明的目的的一为提供有一种提升LCD显示器反应时间的过激驱动装置,尤其有关利用过激(overdrive)驱动方式来提升液晶显示器的反应时间。
本发明的目的之一,在于提供一种压缩显示画面的装置,来节省所须之内存空间。
本发明的目的之一,在于提供一种堆栈式整合型封装的过激驱动装置,使过激驱动装置之内存容量不至于受到限制。
为达成上述目的,在一实施例中本发明的过激驱动装置其构造包含一过激驱动表、一记忆装置与一判断装置。过激驱动表用以储存复数个过激驱动电压值,而记忆装置用以储存一第一画框,判断装置则接收一第一像素,所述的第一像素对应所述的第一画框的一第二像素,判断装置并依据所述的第一像素与所述的第二像素自所述的过激驱动表选择出一过激驱动电压值。其中所述的记忆装置形成在一第一芯片,所述的第一芯片具有一第一主动面并包含复数个形成在所述的第一主动面的第一焊垫,所述的判断装置形成在一第二芯片,所述的第二芯片具有一第二主动面并包含复数个形成在所述的第二主动面的第二焊垫,第一芯片与所述的第二芯片是堆栈排列,且所述的这些第二焊垫电连接至所述的这些第一焊垫。
在本发明的一实施例中,所述的第一芯片与所述的第二芯片形成一个十字架构。在本发明的一实施例中,所述的第一芯片是一良品晶粒(KnownGooddie)。
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