[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710166112.4 | 申请日： | 2007-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101207145A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 沈千万 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像传感器，包括：
半导体衬底上的彩色滤光层；
所述彩色滤光层上的微透镜；和
所述微透镜上的碳掺杂低温氧化物层。
2.根据权利要求1的图像传感器，还包括在所述彩色滤光层和所述微透镜之间的覆盖层。
3.根据权利要求1的图像传感器，其中所述碳掺杂低温氧化物层包含甲基(CH3)或聚亚甲基((CH2)n)。
4.根据权利要求1的图像传感器，其中所述碳掺杂低温氧化物层具有约1.2～约1.48的折射率。
5.一种制造图像传感器的方法，包括：
形成彩色滤光层；
在所述彩色滤光层上形成微透镜；和
在所述微透镜上形成碳掺杂低温氧化物层。
6.根据权利要求5的方法，还包括用电子束(E-beam)或紫外(UV)射线辐照所述碳掺杂低温氧化物层。
7.根据权利要求6的方法，其中在约1eV～约10eV的能量下进行所述碳掺杂低温氧化物层的辐照。
8.根据权利要求6的方法，其中所述碳掺杂的低温氧化物层的辐照包括在所述碳掺杂低温氧化物层中断裂键和形成新键。
9.根据权利要求8的方法，其中所述新键包括Si-O键、Si-H键、Si-C键、C-C键、或C-H键。
10.根据权利要求5的方法，其中所述碳掺杂低温氧化物层包含甲基(CH3)或聚亚甲基((CH2)n)。
11.根据权利要求5的方法，其中所述碳掺杂低温氧化物层具有约1.2～约1.48的折射率。
12.根据权利要求5的0方法，其中在约20℃～约350℃的温度下进行碳掺杂低温氧化物层的形成。
13.根据权利要求5的方法，还包括在形成所述微透镜之前，在所述彩色滤光层上形成覆盖层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
