[发明专利]图像显示装置及其制造方法无效
| 申请号: | 200710165842.2 | 申请日: | 2007-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN101187764A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
| 发明(设计)人: | 丰田善章;佐藤健史;秋元肇 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/133;H05B33/00;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 季向冈 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种图像显示装置,包括在绝缘基板的主面上具有由薄膜晶体管构成的多个像素的有源基板,其特征在于:
上述薄膜晶体管是栅极电极位于上述绝缘基板的主面上的构成上述薄膜晶体管的有源层的半导体膜的下层、源极/漏极电极连接在上述半导体膜的上部的底栅式晶体管,
上述栅极电极是以与上述绝缘基板的主面上所具有的由透明导电膜构成的像素电极同层的透明导电膜为下层、在其上层重叠了金属膜的层叠膜,上述像素电极是上述透明导电膜。
2.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
在上述像素电极的上部端缘的一部分上具有与上述金属膜同层的连接用金属膜,上述源极/漏极电极通过上述连接用金属膜与构成上述像素电极的上述透明导电膜电连接。
3.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
上述层叠膜,由在上述栅极电极的上层成膜的栅极绝缘膜、位于上述绝缘膜的上层的半导体膜、以及上述源极/漏极电极的一部分形成像素的保持电容。
4.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
在上述像素电极的上层具有取向膜。
5.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
在上述像素电极的上层具有有机EL发光层。
6.根据权利要求1所述的图像显示装置,其特征在于:
上述绝缘基板是玻璃基板,在上述玻璃基板的主面上且在上述层叠膜的下层具有基底膜。
7.根据权利要求6所述的图像显示装置,其特征在于:
上述基底膜是氧化硅膜、氮化硅膜、氧化硅和氮化硅的层叠膜中的任意一种。
8.一种图像显示装置的制造方法,上述显示装置包括在绝缘基板的主面上具有由薄膜晶体管构成的多个像素的有源基板,上述薄膜晶体管是栅极电极位于上述绝缘基板的主面上的最下层且位于构成上述薄膜晶体管的有源层的半导体膜的下层、源极/漏极电极连接在上述半导体膜的上部的底栅式晶体管,上述制造方法的特征在于,包括:
层叠电极膜成膜步骤,在上述绝缘基板上的至少整个像素区域,形成以透明导电膜为下层、以金属膜为上层的层叠电极膜;
半导体加工步骤,覆盖上述层叠电极膜而形成栅极绝缘膜,在其上形成半导体膜,在上述薄膜晶体管的形成区域形成加工成岛状的上述半导体膜;
层间绝缘膜加工步骤,覆盖上述半导体加工步骤中所加工的上述半导体膜而形成层间绝缘膜后,加工上述层间绝缘膜以除去上述薄膜晶体管的源极/漏极电极部和上述像素部的上述层间绝缘膜;
金属膜成膜步骤,在包含上述层间绝缘膜加工步骤中所除去的上述薄膜晶体管的源极/漏极电极部和上述像素部的整个区域形成源极/漏极电极用的金属膜;以及
金属膜加工步骤,加工上述金属膜,在上述薄膜晶体管形成区域的上述源极/漏极电极部形成源极/漏极电极,同时,在上述像素部的上述层叠电极膜的一部分上残留成为连接用金属膜的部分地除去上述金属膜,仅残留上述透明导电膜作为像素电极。
9.根据权利要求8所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于:
上述层叠电极膜的下层使用ITO。
10.根据权利要求8所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于:
上述层叠电极膜的下层使用氧化锡类透明导电膜。
11.根据权利要求9所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于:
上述层叠电极膜的上层使用铝或铝钕合金。
12.根据权利要求9所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于:
上述层叠电极膜的上层使用钛、钨钛,氮化钛、钨、铬、钼、钽、铌、钒、锆、铪、铂、钌、或它们的合金中的任意一种。
13.根据权利要求8所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于:
在上述像素区域,形成由在上述层叠电极膜的上层形成的上述栅极绝缘膜和上述半导体膜以及上述金属膜形成的保持电容部。
14.根据权利要求8所述的图像显示装置的制造方法,其特征在于:
还包括在上述像素电极的上层涂敷取向膜材料后,对上述取向膜赋予液晶取向控制能力的取向膜形成步骤。
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