[发明专利]活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法无效
| 申请号： | 200710164825.7 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101210318A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杜平凡;席珍强;王龙成;徐敏;汪新颜;姚剑 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/517 | 分类号： | C23C16/517;C23C16/02;F02F5/00;F16J9/26 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 活塞环 表面 氮化 硅膜层 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法，其特征在于：沉积前，对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理；前处理完成后，再将活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备的沉积室中，系统抽真空至5×10-3Pa，以硅烷和氨气为反应气源，在硅烷流量15～45sccm、硅烷和氨气流量比1∶2～1∶4、沉积温度300～500℃、射频功率90～150W的条件下，沉积10～30min停止，在活塞环的上表面和侧面均匀沉积一层氮化硅膜层；自然冷却后取出。
2.根据权利要求1所述的一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法，其特征在于：所述的射频等离子体增强化学气相沉积设备为国产的HQ-2型RF-PECVD设备。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
