[发明专利]图像传感器IC无效

专利信息
申请号: 200710164695.7 申请日: 2007-12-20
公开(公告)号: CN101236979A 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 鹰巢博昭 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘杰;刘宗杰
地址: 日本千叶*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 ic
【权利要求书】:

1、一种图像传感器IC,具有布置于硅衬底上的光电二极管和晶体管,包括:

用于接收红光的多个像素区域,每个像素区域由一个光电二极管形成;

用于接收绿光的多个像素区域,每个像素区域由一个光电二极管形成;

用于接收蓝光的多个像素区域,每个像素区域由一个光电二极管形成;以及

多晶硅薄膜,每个多晶硅薄膜被固定在相同的电势,并且每个多晶硅薄膜被放置于用于接收红光的多个像素区域、用于接收绿光的多个像素区域以及用于接收蓝光的多个像素区域中每个像素区域的保护膜之下,并且所述每个多晶硅薄膜被放置于用于接收红光的多个像素区域、用于接收绿光的多个像素区域以及用于接收蓝光的多个像素区域之上,每个多晶硅薄膜具有不同的厚度,以有选择地传输每个用于接收红光的多个像素区域、用于接收绿光的多个像素区域、用于接收蓝光的多个像素区域所接收到的光波长。

2、如权利要求1所述的图像传感器IC,其中形成于用于接收红光的多个像素区域、用于接收绿光的多个像素区域以及用于接收蓝光的多个像素区域之上的每个多晶硅薄膜,都包含连续的薄膜。

3、如权利要求1所述的图像传感器IC,其中形成于用于接收红光的多个像素区域、用于接收绿光的多个像素区域以及用于接收蓝光的多个像素区域之上的每个多晶硅薄膜,都包含依据形状的独立的薄膜。

4、如权利要求2或3所述的图像传感器IC,其中形成于用于接收红光的多个像素区域、用于接收绿光的多个像素区域以及用于接收蓝光的多个像素区域之上的每个多晶硅薄膜,彼此电连接以保持在相同的电势,作为硅衬底的电势。

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