[发明专利]内埋电容元件结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种封装结构及其制造方法，特别是有关于一种内埋电容元件结构及其制造方法。

背景技术

内埋电容元件结构为一种依照模组的电路特性与需求，采用多层线路板封装(Multiple Stacked Package；MSP)技术将电容以介电材料内埋于基板之中，借以取代已知的非内埋式陶瓷电容，来缩短电路布局、减少非内埋式被动元件的使用数量，以减少讯号传输距离来提升整体元件的工作性能的封装结构。

目前所已知的内埋式电容元件主要有金属/绝缘体/金属(Mental-Insulator-Mental；MIM)电容与垂直指插电容(Vertically-Interdigitated-Capacitor；VIC)两种，其中金属/绝缘体/金属电容是利用位于介电层上下两片金属来构成的电容结构，而垂直指插式电容器的结构为许多金属平板互相交错叠而成。

然而，由于电容元件的电容特性(电容值)与元件的介电材料的介电常数成正比，已知的内埋式电容元件所使用的介电材料无法如非内埋式陶瓷电容(通常为高温烧结的钛酸钡系材料)进行高温烧结，因此介电常数通常较非内埋式陶瓷电容低，因此所提供的电容特性也较非内埋式陶瓷电容差。即使透过此调整介电材料使用高分子/陶瓷粉体复合材料，内埋式电容元件的介电常数值仍比已知的分离式陶瓷电容要低。

为了改善内埋式电容元件的电容特性，上述二种电容元件皆需增加电容结构的叠层数目，不仅占据了有限的基板布线空间，又会使基板的厚度陡然增加。

由此可见，上述现有的内埋电容元件结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决内埋电容元件结构存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。

有鉴于上述现有的内埋电容元件结构存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型结构的内埋电容元件结构及其制造方法，能够改进一般现有的内埋电容元件结构，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的内埋电容元件结构存在的缺陷，而提供一种新型结构的内埋电容元件结构及其制造方法，所要解决的技术问题是使其可以不需要增加基板厚度即可增进内埋式电容元件的电容特性，来解决已知内埋电容元件为了增加电容特性而导致基板厚度大幅增加的问题。

本发明的一目的在于提供一种内埋电容元件结构，此内埋电容元件结构包括：介电层、第一导电层、第二导电层、第一嵌板以及第二嵌板。其中介电层具有一厚度。第一导电层位于介电层的一侧，且具有第一电性。第二导电层位于介电层上相对于第一导电层的另一侧，且具有第二电性。第一嵌板嵌设于介电层之中，与第一导电层电性连结。第二嵌板嵌设于介电层之中，与第二导电层电性连结，且与第一嵌板相距有一段距离。

前述的内埋电容元件结构，其中该第一嵌板和该第二嵌板嵌设于该介电层的长度，实质大于该厚度的一半。

前述的内埋电容元件结构，其中该第一导电层与该第一嵌板夹具有一第一夹角角度，其夹角实质大于0°小于180°。

前述的内埋电容元件结构，其中该第一夹角的角度为90°。

前述的内埋电容元件结构，其中该第二导电层与该第二嵌板夹有角度实质大于0°小于180°的一第二夹角。

前述的内埋电容元件结构，其中该第二夹角的角度为90°。

前述的内埋电容元件结构，其中该第一嵌板与该第二嵌板相互平行。

前述的内埋电容元件结构，还包括：一第三嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第一导电层电性连结，其中该第二嵌板位于该第一嵌板与该第三嵌板之间，且三者彼此都相距有一距离；以及一第四嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第二导电层电性连结，其中该第三嵌板位于该第二嵌板与该第四嵌板之间，且三者彼此都相距有一距离。

前述的内埋电容元件结构，其中该第一嵌板、该第二嵌板、该第三嵌板以及该第四嵌板彼此相互平行。

本发明的另一目的在于提供一种内埋电容元件结构的制造方法，此一方法包括下述步骤：