[发明专利]低电压差分讯号(LVDS)的接收器有效
申请号: | 200710163784.X | 申请日: | 2007-11-01 |
公开(公告)号: | CN101162901A | 公开(公告)日: | 2008-04-16 |
发明(设计)人: | 张振元;黄贤生 | 申请(专利权)人: | 钰创科技股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185;G09G5/00 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电压 讯号 lvds 接收器 | ||
1.一种低电压差分讯号的接收器,其特征在于:其包含:
一输入级电路,用以将一低电压差分讯号转换成一第一电流讯号与一第二电流讯号;
一电流源电路连接所述的输入级电路,所述的电流源电路依据复数个偏压讯号以产生所述的输入级电路所需的一组操作电流;以及
一电流镜电路连接所述的电流源电路与所述的输入级电路,所述的电流镜电路接收所述的第一电流讯号与所述的第二电流讯号以产生一输出电压讯号,所述的电流镜电路并依据所述的第一电流讯号与所述的第二电流讯号产生所述的复数个偏压讯号至所述的电流源电路。
2.根据权利要求1所述的低电压差分讯号的接收器,其特征在于:所述的输入级电路包含:
一第一差动讯号输入器用以将所述的低电压差分讯号转换成所述的第一电流讯号;以及
一第二差动讯号输入器用以将所述的低电压差分讯号转换成所述的第二电流讯号;
其中所述的第一差动讯号输入器接收差动讯号共模电压的一第一预定电压范围与所述的第二差动讯号输入器接收差动讯号共模电压的一第二预定电压范围仅仅部分重叠。
3.根据权利要求2所述的低电压差分讯号的接收器,其特征在于:所述的第一差动讯号输入器包含一第一对PMOS晶体管,所述的第一对PMOS晶体管的两源极相连接且所述的第一对PMOS晶体管的两栅极接收所述的低电压差分讯号,而所述的第二差动讯号输入器包含一第一对NMOS晶体管,所述的第一对NMOS晶体管的两源极相连接且所述的第一对NMOS晶体管的两栅极接收所述的低电压差分讯号。
4.根据权利要求1所述的低电压差分讯号的接收器,其特征在于:所述的这组操作电流包含一第一组操作电流与一第二组操作电流,所述的电流源电路包含:
一第一电流源电路产生所述的第一差动讯号输入器所需的所述的第一组操作电流;以及
一第二电流源电路产生所述的第二差动讯号输入器所需的所述的第二组操作电流。
5.根据权利要求4所述的低电压差分讯号的接收器,其特征在于:所述的第一电流源电路包含一第二对PMOS晶体管,所述的第二对PMOS晶体管的两源极相连接至一第一预定电压源且所述的第二对PMOS晶体管的两漏极相连接,而所述的第二电流源电路包含一第二对NMOS晶体管,所述的第二对NMOS晶体管的两源极相连接至一第二预定电压源且所述的第二对NMOS晶体管的两漏极相接。
6.根据权利要求4所述的低电压差分讯号的接收器,其特征在于:所述的电流镜电路包含:
一第一电流镜组位于所述的第一差动讯号输入器与所述的第二差动讯号输入器之间,所述的第一电流镜组依据所述的第一电流讯号与所述的第二电流讯号,产生一第一总合电流讯号;以及
一第二电流镜组位于所述的第一差动讯号输入器与所述的第二差动讯号输入器之间,所述的第二电流镜组依据所述的第一电流讯号与所述的第二电流讯号,产生一第二总合电流讯号;
其中所述的电流镜电路依据所述的第一总合电流讯号与所述的第二总合电流讯号,产生所述的输出电压讯号。
7.根据权利要求6所述的低电压差分讯号的接收器,其特征在于:所述的第一电流讯号包含一第三子电流讯号与一第四子电流讯号,所述的第二电流讯号包含一第五子电流讯号与一第六子电流讯号,所述的第一电流镜组包含:
一第三电流镜接收所述的第三子电流讯号以产生一第一映像电流讯号;以及
一第四电流镜连接所述的第三电流镜,所述的第四电流镜依据所述的第六子电流讯号与所述的第一映像电流讯号,产生所述的第一总合电流讯号。
8.根据权利要求7所述的低电压差分讯号的接收器,其特征在于:所述的复数个偏压讯号包含一第一偏压讯号、一第二偏压讯号、一第三偏压讯号与一第四偏压讯号,所述的第三电流镜依据所述的第三子电流讯号产生所述的第一偏压讯号至所述的第一电流源电路,而所述的第四电流镜依据所述的第六子电流讯号与所述的第一映像电流讯号产生所述的第四偏压讯号至所述的第二电流源电路。
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