[发明专利]微波等离子体处理装置、电介质窗制造方法和微波等离子体处理方法

权利要求书

1.一种微波等离子体处理装置，其特征在于，具有：

使微波传播的缝隙天线；

使所述缝隙天线传播的微波透过的电介质窗；

供给规定的气体的气体供给部；和

由透过所述电介质窗的微波，使所述规定的气体成为等离子体，对被处理体进行处理的处理室；其中，

所述电介质窗具有：具有第一气孔率的第一多孔质体；和连接于所述第一多孔质体并且具有小于所述第一气孔率的第二气孔率的第二多孔质体，

所述气体供给部，将所述规定的气体，通过所述第一多孔质体，从所述第二多孔质体导入所述处理室内。

2.如权利要求1所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一多孔质体设置在所述电介质窗内部的在所述电介质窗的表面不露出的位置。

3.如权利要求1或2中任一项所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

具有多个所述第二多孔质体，

各第二多孔质体的一端分别连接于所述第一多孔质体，所述各第二多孔质体的另一端在所述电介质窗的处理室侧的面上露出。

4.如权利要求3所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述各第二多孔质体等间隔地露出在所述电介质窗的处理室侧的面上。

5.如权利要求1或2中任一项所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述气体供给部一边使气体在气孔率大于所述第二多孔质体的所述第一多孔质体的内部暂时停留，一边将气体从所述第二多孔质体导入所述处理室内。

6.如权利要求1或2中任一项所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述第二气孔率在以下条件下预先设定为规定的值，该条件为：从所述第二多孔质体喷出的气体的流速在声速以下，并且气体不进入所述第二多孔质体的气孔。

7.如权利要求1或2中任一项所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗还含有致密质体，

所述第一多孔质体和所述第二多孔质体与致密质体烧制成一体。

8.如权利要求7所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗通过溶胶-凝胶法施有封孔处理。

9.一种微波等离子体处理装置，其特征在于，具有：

使微波传播的缝隙天线；

使所述缝隙天线传播的微波透过的电介质窗；

供给规定的气体的气体供给部；和

由透过所述电介质窗的微波，使所述规定的气体成为等离子体，对被处理体进行处理的处理室，其中，

所述电介质窗具有：具有第一气孔率的第一多孔质体；和连接于所述第一多孔质体并且具有多个贯通孔的贯通部件，

所述气体供给部，将所述规定的气体，通过所述第一多孔质体，从所述贯通部件导入所述处理室内。

10.如权利要求9所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述贯通部件按以下条件预先设定所述贯通孔的直径和所述贯通孔的数量，该条件为：从所述多个贯通孔喷出的气体的流速在声速以下，并且气体不进入所述多个贯通孔。

11.如权利要求1、2、9、10中任一项所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述电介质窗由使微波分别透过的多片电介质零件构成，

各电介质零件在至少1处设置有所述第一多孔质体。

12.如权利要求1、2、9、10中任一项所述的微波等离子体处理装置，其特征在于：

所述微波等离子体处理装置还具有固定在支撑所述各电介质零件的梁的多个气体喷射部件，

所述各气体喷射部件的气体的喷出口被设置在比所述电介质窗的处理室侧的面接近被处理体的载置位置的位置，

所述气体供给部，使所述规定的气体中的第一气体通过所述电介质窗的内部，从所述电介质窗的处理室侧的面导入所述处理室内，并使第二气体从设置在比所述电介质窗的处理室侧的面接近被处理体的载置位置的位置的多个气体喷射部件的喷出口导入所述处理室内。