[发明专利]一种导电膜的制造方法、结构及具有该导电膜的探针卡

权利要求书

1.一种导电膜的制造方法，其包含：

于一基材上依序成型一第一绝缘层、一第一金属层，及一光阻层；

于该光阻层上形成复数沟槽；

于该沟槽内长成第二金属层，该第二金属层可与该第一金属层结合， 构成电性导通；

去除光阻层；

去除未被第二金属层覆盖的第一金属层，使形成至少一金属微线；

于金属微线再覆以第二绝缘层，该第二绝缘层可与该第一绝缘层结合 构成绝缘薄膜，将该金属微线包覆于其内；

将该绝缘薄膜连同该金属微线由基材剥离，使构成一金属微线数组单 元；

将复数层的金属微线数组单元黏着、堆栈至一定厚度，使形成一导电 膜。

2.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，于该光阻层上形 成的沟槽的两端，分别贯穿该光阻层相对两边缘。

3.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，该第一绝缘层及 第二绝缘层具有绝缘薄膜，该绝缘薄膜为聚二甲基硅氧烷或聚酰亚胺。

4.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，该金属微线为镍 钴合金。

5.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，通过表面处理与 机械愈合技术，该将金属微线数组单元黏着、堆栈至一定厚度。

6.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，该相互堆栈的金 属微线数组单元，其金属微线相互平行。

7.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，还包括一裁切步 骤，用以将该形成的导电膜裁切至特定尺寸大小。

8.如权利要求7所述的导电膜的制造方法，其中，由激光、离子束 或等离子体能量束进行裁切。

9.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，该基材为硅晶片。

10.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，该第一金属层及 第二金属层为纳米等级的镍或铜金属薄膜，或镍钴合金。

11.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，以激光、离子束 或等离子体能量束通过屏蔽或直写扫描加工方式，于该光阻层上形成复数 沟槽。

12.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，该复数沟槽为单 层单向相互平行排列。

13.如权利要求1所述的导电膜的制造方法，其中，该金属微线数组 单元由该绝缘薄膜包覆单层单向排列的复数金属微线所构成，相邻金属线 间距不大于10微米。