[发明专利]可变增益放大器以及相关的转导单元

权利要求书

1.一种可变增益放大器，其特征在于，所述的可变增益放大器包括：

第一、第二负载；以及

一转导单元，包括：

第一、第二晶体管，包括复数控制端用以接收一组输入信号、复数第一端分别耦接至上述第一、第二负载，以及复数第二端分别耦接至第一、第二节点；

第一、第二电流源，分别耦接于上述第一节点与一第一电压之间和上述第二节点与上述第一电压之间；以及

一第一增益控制晶体管，耦接于上述第一、第二节点之间，用以接收一增益控制电压，其中上述第一增益控制晶体管的临界电压低于上述第一、第二晶体管的临界电压。

2.如权利要求1所述的可变增益放大器，其中上述第一、第二晶体管以及上述第一增益控制晶体管皆为MOS晶体管。

3.如权利要求2所述的可变增益放大器，其中上述第一增益控制晶体管为一原生型MOS晶体管。

4.如权利要求2所述的可变增益放大器，其中上述第一增益控制晶体管的一栅极氧化层较薄于上述第一、第二晶体管的栅极氧化层。

5.如权利要求1所述的可变增益放大器，其特征在于，所述的可变增益放大器更包括一第二增益控制晶体管具有一第一端耦接至上述第一节点、一第二端耦接至上述第二节点，以及一控制端耦接至上述增益控制电压，其中上述第一、第二增益控制晶体管具有不同的临界电压。

6.如权利要求5所述的可变增益放大器，其中上述第一、第二晶体管以及上述第一、第二增益控制晶体管为MOS晶体管。

7.如权利要求6所述的可变增益放大器，其中上述第一增益控制晶体管为一原生型MOS晶体管。

8.如权利要求6所述的可变增益放大器，其中上述第二增益控制晶体管的临界电压高于第一增益控制晶体管的临界电压。

9.如权利要求6所述的可变增益放大器，其中上述第二增益控制晶体管与上述第一、第二晶体管具有相同的临界电压。

10.一种可变增益放大器，其特征在于，所述的可变增益放大器包括：

一转导单元，用以根据一组输入信号，输出一差动信号，上述转导单元包括：

第一、第二MOS晶体管，分别耦接于一第一负载与一第一节点之间和一第二负载与一第二节点之间；以及

一第三MOS晶体管，耦接于上述第一、第二节点之间，用以作为一第一退化电阻，并且上述第三MOS晶体管的栅极氧化层薄于上述第一、第二MOS晶体管的栅极氧化层。

11.如权利要求10所述的可变增益放大器，其中上述第一增益控制晶体管为一原生型MOS晶体管。

12.如权利要求10所述的可变增益放大器，其中上述第三MOS晶体管的临界电压低于上述第一、第二MOS晶体管的临界电压。

13.如权利要求10所述的可变增益放大器，其特征在于，所述的可变增益放大器更包括一第四MOS晶体管耦接于上述第一、第二节点之间，用以作为一第二退化电阻，其中上述第三、第四MOS晶体管具有不同的厚度的栅极氧化层。

14.如权利要求13所述的可变增益放大器，其中上述第三MOS晶体管为一原生型MOS晶体管。

15.如权利要求13所述的可变增益放大器，其中上述第四MOS晶体管的栅极氧化层较厚于上述第一、第二MOS晶体管的栅极氧化层。

16.如权利要求13所述的可变增益放大器，其中上述第四MOS晶体管与上述第一、第二MOS晶体管具有相同厚度的栅极氧化层。

17.如权利要求15所述的可变增益放大器，其中上述第三MOS晶体管的临界电压低于上述第一、第二与第四MOS晶体管的临界电压。