[发明专利]制作快闪存储器的方法

权利要求书

1、一种制作快闪存储器的方法，包含：

提供基底，其表面包含掩模层；

移除部分该掩模层以及该基底以形成多个浅沟槽；

在该基底上形成第一氧化层，填入这些浅沟槽中；

移除高于该掩模层表面的部分该第一氧化层；

在该第一氧化层以及该掩模层上形成第二氧化层，且该第二氧化层与该第一氧化层具有不相同的蚀刻率；

移除高于该掩模层表面的部分该第二氧化层，且该第一与该第二氧化层在各该浅沟槽中形成绝缘浅沟槽结构；

移除该掩模层，使相邻的这些绝缘浅沟槽结构之间分别具有凹陷区域；以及

在这些凹陷区域内填入第一导电层，以在各该凹陷区域内形成浮置栅极。

2、如权利要求1所述的方法，其中该方法在形成这些浮置栅极之后，还包含下列步骤：

进行回蚀刻工艺，以移除部分这些绝缘浅沟槽结构，并利用该第一与该第二氧化层的蚀刻率不相同的特性，使剩下的这些绝缘浅沟槽结构具有不平坦的表面；

在该基底表面形成介电层，覆盖于这些浮置栅极以及这些绝缘浅沟槽结构的表面；以及

在该基底上形成第二导电层，覆盖该介电层。

3、如权利要求2所述的方法，其中在该回蚀刻工艺之后，剩下的这些绝缘浅沟槽结构具有阶梯状的表面。

4、如权利要求1所述的方法，其中移除高于该掩模层表面的部分该第一氧化层的步骤包含回蚀刻工艺。

5、如权利要求1所述的方法，其中在各该凹陷区域内填入该第一导电层的方法包含：

在该基底上形成该第一导电层；以及

进行研磨工艺，以该绝缘浅沟槽结构当作停止层，移除部分该第一导电层，使剩下的该第一导电层在各该凹陷区域内形成这些浮置栅极。

6、如权利要求1所述的方法，其中填入这些浅沟槽中的该第一氧化层包含位于该浅沟槽的上部的至少一孔隙，之后移除高于该掩模层表面的部分该第一氧化层，暴露出该孔隙。

7、如权利要求6所述的方法，其中形成该第二氧化层的方法包含：

在该基底上形成多晶硅层，同时填入暴露出的该孔隙中；

氧化该多晶硅层，以使该多晶硅层形成该第二氧化层；以及

进行研磨工艺，以该掩模层当作停止层而移除部分该第二氧化层。

8、如权利要求7所述的方法，其中氧化该多晶硅层的步骤包含湿式氧化工艺。

9、如权利要求7所述的方法，其中形成该多晶硅层的步骤包含进行低压化学气相沉积工艺。

10、如权利要求6所述的方法，其中该第二氧化层的形成方法包含：

进行高密度等离子体沉积工艺，以在该基底上形成高密度等离子体氧化层：以及

进行烧结工艺，以使该高密度等离子体氧化层致密化。

11、如权利要求10所述的方法，其中该高密度等离子体沉积工艺为等离子体增强化学气相沉积工艺。

12、如权利要求1所述的方法，其中该第二氧化层包含四乙氧基硅烷的硅氧材料。

13、如权利要求12所述的方法，其还包含进行低压化学气相沉积工艺，以形成该第二氧化层。

14、如权利要求1所述的方法，其中该第一氧化层通过高密度等离子体沉积工艺所形成。

15、如权利要求1所述的方法，其中该第一导电层包含多晶硅材料。

16、如权利要求1所述的方法，其中该基底表面还包含浮置栅极介电层与多晶硅层，设于该掩模层的下方。

17、如权利要求16所述的方法，其中在移除该掩模层之后，该多晶硅层曝露于这些凹陷区域内，而后续形成于这些凹陷区域内的该第一导电层与该多晶硅层共同形成这些浮置栅极。