[发明专利]碳化硅晶体生长的方法和装置

权利要求书

1.一种控制和促进高质量SiC单晶体在有籽晶SiC晶体生长系统中生长的方法，该方法包括：

引入并维持碳源气体和选自硅烷、氯硅烷和三氯甲基硅烷的硅源气体的气流至反应区域，同时加热硅源气体和碳源气体至2200-2400℃之间的温度；

使硅源气体与碳源气体在反应区域反应形成含碳和硅的气化物质；

在反应区域将籽晶的温度升高至2150-2250℃之间的温度；

在SiC单晶体的生长能够在籽晶上发生的温度和压力的条件下，引入并维持含碳和硅的气化物质的气流至SiC籽晶上；

通过将硅源气体引入到一个SiC晶体生长系统从而基本上防止硅源气体除了与碳源气体反应外还与周围物质反应，该系统包括其上涂有选自钽、铪、铌、钛、锆、钨和钒的碳化物以及钽、铪、铌、钛、锆、钨和钒的氮化物以及其混合物的耐高温金属化合物的石墨。

2.根据权利要求1的方法，进一步包括在将碳化硅籽晶引入该反应区域之前预先准备好一个抛光的碳化硅籽晶。

3.根据权利要求1的方法，包括将硅源气体和碳源气体的温度升到2300℃。

4.根据权利要求1的方法，其中提高籽晶温度的步骤包括将籽晶的温度大约升到2200℃。

5.根据权利要求1的方法，包括引入一股具有选定硅源气体和碳源气体组分的气流，并且在整个生长过程中维持选定源气体组分基本恒定。

6.根据权利要求1的方法，包括在整个生长过程中根据需要改变该气流中选定源气体组分从而保持所需晶体生长。