[发明专利]一种磁阻式随机存取存储器及相关方法

权利要求书

1.一种磁阻式随机存取存储器RAM，其包含：

多个可变电阻器件；

多条读位线，其被电连接到各自的可变电阻器件；以及

多条写位线，其与所述读位线交错，其中所述磁阻式RAM被配置为：

当将第一数据写到第一可变电阻器件时，通过与所述第一可变电阻器件相邻的第一写位线施加第一写电流，以及

通过与第二可变电阻器件相邻的第二写位线施加第一抑制电流，所述第二可变电阻器件与所述第一写位线相邻、并且在所述第一写位线与所述第二写位线之间，并且所述第一写电流与所述第一抑制电流以相同方向流动。

2.如权利要求1所述的磁阻式RAM，其中每一个可变电阻器件均被布置于两条写位线之间并与该两条写位线相邻。

3.如权利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述第一抑制电流量小于所述第一写电流量。

4.如权利要求3所述的磁阻式RAM，其中所述第一抑制电流量约为所述第一写电流量的1/2。

5.如权利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述读位线与所述写位线以这样的方式交错：一条写位线跟着一条读位线，依次地，另一条读位线跟着该写位线。

6.如权利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述第一写电流与所述第一抑制电流同时流动。

7.如权利要求1所述的磁阻式RAM，其中防止电流流经第三写位线，所述第三写位线被排列在所述第一可变电阻器件的与所述第一写位线所在的那侧相反的一侧。

8.如权利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述磁阻式RAM还被配置为：

当将第二数据写到所述第一可变电阻器件时，通过与所述第一可变电阻器件相邻的第三写位线施加第二写电流，以及

通过与第三可变电阻器件相邻的第四写位线施加第二抑制电流，所述第一可变电阻器件在所述第一写位线与所述第三写位线之间，所述第三可变电阻器件与所述第三写位线相邻、并且在所述第三写位线与所述第四写位线之间，所述第一写电流和所述第二写电流以相同方向流动，并且所述第二写电流与所述第二抑制电流同时地、并且以相同方向流动。

9.如权利要求8所述的磁阻式RAM，其中所述第二抑制电流量小于所述第二写电流量。

10.如权利要求9所述的磁阻式RAM，其中所述第二抑制电流量约为所述第二写电流量的1/2。

11.如权利要求1所述的磁阻式RAM，其中所述可变电阻器件中的每一个均被垂直地排列在半导体衬底上；并且

所述第一写电流和所述第一抑制电流中的每一个均垂直流动。

12.如权利要求11所述的磁阻式RAM，还包含：字线，其被排列在所述半导体衬底上方的层面，该层面不同于所述位线被排列的层面。

13.如权利要求12所述的磁阻式RAM，其中所述字线与所述位线各自被水平地排列在所述半导体衬底上。

14.如权利要求12所述的磁阻式RAM，还包含：

多个写二极管，其各自被垂直地排列在所述半导体衬底上，并且被分别连接到所述写位线；以及

多个读二极管，其各自被垂直地排列在所述半导体衬底上，并且被分别连接到所述读位线。

15.如权利要求1所述的磁阻式RAM，其中：

所述可变电阻器件中的每一个均包括至少一个自由磁层，所述自由磁层基本平行于衬底，

所述第一和第二写位线经由各自的第一和第二连接部分被电连接到相应的字线，所述连接部分与所述可变电阻器件相邻并且具有主轴，该主轴朝向基本垂直于所述衬底的方向，以及

所述第一写电流和所述第一抑制电流流经所述各自的第一和第二连接部分，以产生分别与所述第一和第二可变电阻器件相互作用的第一和第二磁场。

16.如权利要求15所述的磁阻式RAM，其中流经所述第一连接部分的所述第一写电流产生与所述第一和第二可变电阻器件二者相互作用的所述第一磁场。