[发明专利]支持不同存储单元类型的非易失性存储器的设备和方法

说明书

本申请要求2006年9月27日提交到韩国知识产权局的第10-2006-0094297号韩国专利申请的优先权，该申请的公开完全合并于此，以资参考。

技术领域

与本发明一致的设备和方法涉及一种支持不同存储单元(cell)类型的非易失性存储器，更具体地说，涉及一种用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备和方法，所述设备和方法能够在支持不同存储单元类型的非易失性存储器中将逻辑地址映射到物理地址，在所述支持不同存储单元类型的非易失性存储器中，由单位存储单元表示的比特彼此不相同。

背景技术

通常，用作存储和处理数据的存储介质的非易失性存储器在嵌入式系统(诸如电子家用设备、通信设备和机顶盒)中被广泛使用。

主要用作非易失性存储器的闪存是能够电删除数据或者电恢复数据的非易失性存储装置，由于闪存的功耗比基于磁盘存储器的存储介质的功耗低并且具有与硬盘相似的高存取时间，因此闪存适合用于具有小尺寸的便携式设备。

在闪存中，从硬件特性来看，为了对其中写有数据的存储器扇区执行写运算(operation)，应该在写运算之前执行用于删除包括该扇区的所有块的运算。写前擦除(erase-before-write)操作造成闪存的性能恶化。为了解决该问题，已经引入了逻辑地址和物理地址的概念。也就是说，通过各种映射算法将对逻辑地址的读/写运算改变为对物理地址的读/写运算，然后，执行读/写运算。在这种情况下，逻辑地址被划分为用于存储被频繁更新的元数据的区域和用于存储具有比元数据的大小更大并且与元数据相比被较少更新的用户数据的区域。

从硬件特征来看，根据一个存储单元代表的比特的数量，闪存被划分为若干类型。例如，闪存被划分为两种类型，即，一个存储单元代表一个比特的单层式存储单元(single level cell，SLC)类型以及一个存储单元代表多个比特的多层式存储单元(multi-level cell，MLC)类型。SLC类型具有比MLC类型更高速的读/写性能，并且还具有比MLC类型更多的部分编程次数(NumberOf Partial programming，NOP)。当SLC类型和MLC类型具有相同的物理大小时，SLC类型具有比MLC类型更小的存储容量。

由于当前生产的具有非易失性存储器的设备仅包括单层式存储单元类型，所以所有的物理地址具有相同的性能和相同的物理特性。因此，当在支持不同存储单元类型的非易失性存储器中将逻辑地址映射到物理地址时，没有根据每种存储单元类型考虑物理地址的特性，这导致对提高非易失性存储器的性能的限制。

第2004-062328号日本未审查专利申请公布公开了一种在具有用户物理块和擦除物理块的NAND闪存中根据数据量和物理块的擦除状态来改变数据流的方法。

发明内容

本发明的一方面在于提供一种用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备和方法，所述设备和方法能够通过以下方式提高支持不同存储单元类型的非易失性存储器的性能，即：考虑在非易失性存储器中的每种存储单元类型的存储器区域中所包括的物理地址的特性，将逻辑地址映射到物理地址。

本发明不限于上述的各方面，通过以下描述，本领域的技术人员将更清楚地理解本发明的其他方面。

根据本发明的一方面，提供一种用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备，所述映射设备包括：用户请求单元，用于让用户通过使用逻辑地址来请求预定运算；非易失性存储器，包括具有不同存储单元类型的多个存储器区域；以及映射管理单元，基于用于请求的运算的逻辑地址，从多个存储器区域中的一个确定被映射到所述逻辑地址的物理地址。

根据本发明的另一方面，提供一种用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射方法，所述方法包括：当用户通过使用逻辑地址来请求预定运算时，确定包括使用的逻辑地址的逻辑地址区域；以及在包括具有不同存储单元类型的多个存储器区域的非易失性存储器中确定将被映射到使用的逻辑地址的物理地址。

本发明的其他示例性实施例的细节被包括在对本发明的详细描述和附图中。

附图说明

通过参照附图对本发明的示例性实施例进行的详细描述，本发明的上述和其他特征和方面将会变得更加清楚，其中：

图1是示出在普通非易失性存储器中的映射方法的示图；

图2是示出根据本发明示例性实施例的用于支持不同存储单元类型的非易失性存储器的映射设备的示图；