[发明专利]具有可控电阻率的耐等离子体腐蚀陶瓷

权利要求书

1、一种包含陶瓷的制品，其能抵抗用于半导体处理中的含卤等离子体的 侵蚀并在从约350℃至室温范围内的温度下具有在约10^-7至10^-15Ω·cm范围内 的电阻率，所述制品具有包含至少一种含氧化钇固溶体的表面，以及其中包含 氧化钇的至少一种固溶体还包含选自氧化锆、氧化铪、氧化钪、氧化铌、氧化 钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及其组合的一种或多种氧化物。

2、根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其特征在于，其它镧系元素氧化 物包括于所述陶瓷制品中。

3、根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其特征在于，两种氧化物用于形 成包含氧化钇和其它氧化物的所述至少一种固溶体，以及其中所述其它氧化物 选自氧化锆、氧化铈、氧化铪和氧化铌。

4、根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，氧化钪、氧化钐、 氧化镱、氧化铒或其它镧系元素氧化物包括于所述陶瓷制品中。

5、根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其特征在于，多于两种的前驱物 氧化物用于形成包含氧化钇的所述固溶体，以及其中所述前驱物氧化物包括氧 化锆以及选自氧化铪、氧化钪、氧化铌、氧化钐、氧化镱、氧化铒、氧化铈及 其组合的其它氧化物。

6、根据权利要求5所述的含陶瓷制品，其特征在于，其它镧系元素包括 于所述含陶瓷制品中。

7、根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷由在从约 40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度下的氧化钇，和在从高于0％ 摩尔分数到约60％摩尔分数范围内的浓度下的氧化锆形成。

8、根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷由在从约 40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度下的氧化钇，和在从高于0％ 摩尔分数到约60％摩尔分数范围内的浓度下的氧化铈形成。

9、根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷由在从约 40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度下的氧化钇，和在从高于0％ 摩尔分数到约60％摩尔分数范围内的浓度下的氧化铪形成。

10、根据权利要求3所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述陶瓷由在从约 40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度下的氧化钇，和在从高于0％ 摩尔分数到约60％摩尔分数范围内的浓度下的氧化铌形成。

11、根据权利要求5所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述氧化钇存在从 约40％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度，以及氧化锆存在从高于 0％摩尔分数到约20％摩尔分数范围内的浓度，以及氧化钪存在从高于0％摩尔 分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度。

12、根据权利要求5所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述氧化钇存在从 约70％摩尔分数到小于100％摩尔分数范围内的浓度，以及氧化锆存在从高于 0％摩尔分数到约17％摩尔分数范围内的浓度，以及氧化铪存在从高于0％摩尔 分数到约27％摩尔分数范围内的浓度。

13、根据权利要求5所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述制品由三相烧 结陶瓷形成，其包括包含Y₂O₃-ZrO₂-Nb₂O₅的第一相固溶体，其占所述烧结陶 瓷材料的约60％到约90％之间的摩尔分数；第二相Y₃NbO₇占所述烧结陶瓷材 料的约5％到约30％之间的摩尔分数；以及元素形式的第三相Nb，其占所述 烧结陶瓷材料的约1％到约10％之间的摩尔分数。

14、根据权利要求1所述的含陶瓷制品，其特征在于，所述制品为静电夹 盘或衬底升降杆形式，或者需要从约350℃到室温范围内的温度下从约10^-7或 10^-15Ω·cm范围内电阻率的其它制品形式。