[发明专利]电压参考电路及其方法

权利要求书

1.一种电压参考电路，其包括：

第一晶体管，其具有第一有效面积、第一载流电极、第二载流电极以及控制电极，其中，所述第一有效面积配置成形成第一Vbe；

第二晶体管，其具有第一载流电极、第二载流电极、控制电极以及小于所述第一有效面积的第二有效面积，其中，所述第二有效面积  配置成形成大于所述第一Vbe的第二Vbe；

第一电阻器，其耦合成接收所述第一Vbe和所述第二Vbe之间的差值，所述第一电阻器具有第一和第二端子；和

运算放大器，其具有耦合至所述第一晶体管的所述第一载流电极的第一输入、耦合至所述第二晶体管的所述第一载流电极的第二输入。

2.根据权利要求1所述的电压参考电路，其中，所述第一晶体管或所述第二晶体管均不耦合在二极管结构中。

3.根据权利要求1所述的电压参考电路，还包括耦合在二极管结构中并具有控制电极的第三晶体管，所述控制电极通常耦合至所述第三晶体管的第一载流电极、所述第一晶体管的所述控制电极以及所述第一电阻器的所述第一端子，所述第三晶体管具有第二载流电极。

4.一种形成电压参考电路的方法，其包括：

将第一晶体管和第二晶体管耦合在差分对结构中；以及

配置所述第一晶体管具有小于所述第二晶体管的第二Vbe的第一Vbe。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括耦合第一电阻器以接收所述第一Vbe和所述第二Vbe，以及形成表示所述第一Vbe和所述第二Vbe之间的差值的第一电流。

6.根据权利要求4所述的方法，还包括将第三晶体管的控制电极耦合至所述第一晶体管的控制电极。

7.根据权利要求11所述的方法，其中，所述将所述第一晶体管和所述第二晶体管耦合在所述差分对结构中的步骤，包括将第一电阻器耦合在所述第一晶体管和所述电压参考电路的输出之间，以及将第二电阻器耦合在所述第二晶体管和所述电压参考电路的所述输出之间。

8.一种形成电压参考电路的方法，其包括：

将第一晶体管和第二晶体管耦合在差分对结构中；以及

配置所述第一晶体管具有大于所述第二晶体管的第二有效面积的第一有效面积。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述配置所述第一晶体管具有大于所述第二有效面积的所述第一有效面积的步骤，包括配置所述第一晶体管以形成小于所述第二晶体管的第二Vbe的第一Vbe，以及耦合电流源以形成通过所述第一和第二晶体管的偏置电流。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括耦合第一电阻器以接收所述第一Vbe和所述第二Vbe，并形成表示所述第一Vbe和所述第二Vbe之间差值的第一电流。