[发明专利]磁阻效应元件和磁阻式随机存取存储器

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，包括：

膜叠层，其包括磁化自由层、磁化固定层以及位于所述磁化自由层与所述磁化固定层之间的中间层，其中，所述磁化自由层包括其中磁化方向可以改变的磁性层，所述磁化固定层包括其中磁化方向被固定的磁性层，所述中间层是包含硼(B)和从由Ca、Mg、Sr、Ba、Ti和Sc组成的组中选出的元素的氧化物，

其中通过所述中间层在所述磁化固定层和所述磁化自由层之间双向提供电流，使得所述磁化自由层的磁化可反转。

2.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述中间层具有NaCl晶体结构。

3.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述中间层中的所述硼的浓度峰向所述中间层与所述磁化自由层和所述磁化固定层的界面的至少一个偏移。

4.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其中含硼(B)界面层形成在所述中间层与所述磁化自由层和所述磁化固定层的至少一个之间的界面处。

5.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其中被氧化的硼存在于在所述中间层与所述磁化自由层和所述磁化固定层的至少一个之间的界面区内。

6.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述中间层具有由第一膜和具有比在第一膜中的硼浓度更高的硼浓度的第二膜形成的叠层结构。

7.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述中间层具有由第一膜、第二膜和第三膜形成的叠层结构，所述第二和第三膜将第一膜夹在中间并具有比在第一膜中的硼浓度更高的硼浓度。

8.如权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述磁化固定层具有由第一磁性膜、非磁性膜和第二磁性膜形成的叠层结构，所述第一和第二磁性膜通过非磁性膜被反铁磁耦合。

9.一种磁阻式随机存取存储器，包括：

存储单元，

每一个所述存储单元具有如权利要求1所述的磁阻效应元件作为存储元件。

10.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，其中所述中间层具有NaCl晶体结构。

11.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，其中所述中间层中的所述硼的浓度峰向所述中间层与所述磁化自由层和所述磁化固定层的界面的至少一个偏移。

12.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，其中含硼(B)界面层形成在所述中间层与所述磁化自由层和所述磁化固定层的至少一个之间的界面处。

13.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，其中被氧化的硼存在于在所述中间层与所述磁化自由层和所述磁化固定层的至少一个之间的界面区内。

14.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，其中所述中间层具有由第一膜和具有比在第一膜中的硼浓度更高的硼浓度的第二膜形成的叠层结构。

15.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，其中所述中间层具有由第一膜、第二膜和第三膜形成的叠层结构，所述第二和第三膜将第一膜夹在中间并具有比在第一膜中的硼浓度更高的硼浓度。

16.如权利要求9所述的磁阻式随机存取存储器，其中所述磁化固定层具有由第一磁性膜、非磁性膜和第二磁性膜形成的叠层结构，所述第一和第二磁性膜通过非磁性膜被反铁磁耦合。