[发明专利]顶部发光主动式矩阵电激发光装置有效
| 申请号： | 200710160824.5 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101466178A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 詹川逸;彭杜仁;西川龙司 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/12 | 分类号： | H05B33/12;H05B33/22;H05B33/14;H05B33/26 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 顶部 发光 主动 矩阵 激发 装置 | ||
1.一种顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于，该电激发光装 置包括：
一基板；及
复数个像素区形成于所述的基板上的一显示区域中，每一所述的像素区 包含至少一次像素区，每一所述的次像素区从上至下至少包含一第一导电性 电极层、一电激发光层、一第二导电性电极层、一第一反射层区及一第二反 射层区，其中所述的第一反射层区与所述的第二反射层区彼此部分重叠。
2.如权利要求1所述的顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于， 该电激发光装置还包含一保护层介于所述的第一反射层区与所述的第二反射 层区之间。
3.如权利要求1所述的顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于， 所述的第一反射层区包含一第一反射层电性耦接所述的第二导电性电极层。
4.如权利要求1所述的顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于， 所述的第一反射层区及所述的第二反射层区的厚度小于0.5微米。
5.如权利要求2所述的顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于， 所述的保护层的厚度超过1微米。
6.一种顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于，该电激发光装 置包括：
一基板；及
复数个像素区形成于所述的基板上的一显示区域中，每一所述的像素区 包含至少一次像素区，每一所述的次像素区从上至下至少包含一第一导电性 电极层、一电激发光层、一第二导电性电极层、一第一反射层区、一第二反 射层区及一第三反射层区，其中所述的第一反射层区与所述的第二反射层区 彼此部分重叠，所述的第二反射层区相对所述的第一反射层区的一边与所述 的第三反射层区彼此部分重叠。
7.如权利要求6所述的顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于， 该电激发光装置还包含一保护层位于所述的第一反射层区下方并覆盖所述的 第二反射层区与所述的第三反射层区。
8.如权利要求7所述的顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于， 该电激发光装置还包含一绝缘层介于所述的第二反射层区与所述的第三反射 层区之间。
9.如权利要求6所述的顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在于， 所述的第一反射层区、所述的第二反射层区及所述的第三反射层区的厚度小 于0.5微米。
10.如权利要求7所述的顶部发光主动式矩阵电激发光装置，其特征在 于，所述的保护层的厚度超过1微米。
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