[发明专利]焊垫开口的形成方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体组件的制造方法，且特别是有关于一种焊垫开口形成方法。

背景技术

半导体组件在制作完成之后，通常会将最上层的金属层图案化成焊垫，覆盖上保护层，并在保护层中先形成焊垫开口，然后，再进行后续的封装工艺。然而，在进行封装之前，常会发现半导体组件的上表面上会有许多金属腐蚀所产生的凹洞。此外，也有在蚀刻过程中形成在焊垫开口侧壁的聚合物副产物去除不干净的问题。残留的聚合物除了有可能会污染后续封装测试机台之外，也有可能会因为集成电路运作时温度的上升，而释放出腐蚀性的气体。因此，为能确保可靠度(Reliability)，去除蚀刻过程中所产生的蚀刻聚合物副产物一直是值得研究的课题。

美国专利第5,930,664号提出一种在保护层/抗反射层蚀刻后避免铝焊垫腐蚀的方法。该专利揭示在蚀刻保护层的最后步骤产生聚合物来保护焊垫，避免与周遭水气接触而产生腐蚀。然而，聚合物的去除是大问题，而该专利并未教示所残留的聚合物去除的方法。

美国专利第6,006,764号提出一种可以避免腐蚀的移除铝焊垫上的光致抗蚀剂的方法。该专利揭示在保护层蚀刻之后，先以湿式方法清洗晶片，然后再移至反应性离子蚀刻机台以含氟的气体所产生的等离子体去除残留氯。最后，再移至光致抗蚀剂灰化机台，进行氧气灰化处理。然而，由于该专利是先以湿式法清洗晶片，因此，必须采用极性极强的溶剂，否则会有大量光致抗蚀剂残留，污染后续工艺的机台。

美国专利第6,221,752号是有关于一种修补焊垫的方法。该专利是在保护层蚀刻完毕后，去除表面已经腐蚀的焊垫，然后，再于所裸露出来的干净表面上形成氧化层。然而，该专利属于修补的方式，并非根本预防之道。

美国专利第6,355,576号是有关于一种清洗集成电路焊垫的方法。该专利是在保护层蚀刻完毕后，使用含四氟化碳与水气的等离子体处理晶片。水气的等离子体可挥发焊垫上的残留氟；四氟化碳等离子体，则可增强去除聚合物之能力，然后，以氧气等离子体灰化光致抗蚀剂，之后，再进行湿式清洗工艺。然而，该专利还是存在焊垫已先被氟化的缺点。

美国专利第5,172,212号是有关于一种具有改进焊垫的半导体组件。该专利是在形成焊垫开口之后，光致抗蚀剂层尚未移除之前，先在焊垫开口所裸露的焊垫上先形成一层金属阻障层，之后，移除光致抗蚀剂层，然后再进行打线工艺。然而，该专利并未提及清洁焊垫的方法，而且，在溅镀金属阻障层时，也很容易因为光致抗蚀剂出气(out gassing)以及溅镀敲击产生浮渣(scumming)，而造成污染的问题。此外，在图案化做为焊垫的金属层时，由于金属层上并没有形成抗反射层，因此，微影的准确度会受到影响而造成关键尺寸的改变。

发明内容

本发明就是在提出一种焊垫开口的形成方法，其可以有减少蚀刻过程中所产生的聚合物副产物。

本发明就是在提出一种焊垫开口的形成方法，其可以有效移除蚀刻过程中所产生的聚合物。

本发明就是在提出一种焊垫开口的形成方法，其可以避免金属腐蚀。

本发明就是在提出一种焊垫开口的形成方法，其可以提升可靠度。

本发明提出一种焊垫开口的形成方法。此方法是先提供基底。此基底上已形成焊垫，焊垫包括导电层与抗反射层。接着，在基底上方形成保护层，覆盖焊垫。然后，在保护层上形成掩模层，其具有第一开口裸露出保护层。之后，以抗反射层为蚀刻终止层，蚀刻保护层，以形成第二开口。其后，进行干式移除工艺，以移除掩模层。然后，进行湿式清洗步骤，以移除残留的掩模层或先前工艺所产生的聚合物。之后，以保护层为硬掩模层，导电层为蚀刻终止层，蚀刻移除第二开口所裸露的抗反射层，以形成焊垫开口。

附图说明

图1是依照本发明实施例所绘示的焊垫开口的形成方法的流程图。

图2A至2F是依照本发明实施例所绘示的焊垫开口的形成方法的流程剖面示意图。

符号说明：

102-116：步骤

200：基底

202、202a：导电层

204、204a：抗反射层

206：焊垫

208、228、238：保护层

212、214：开口

214a：焊垫开口

216：聚合物

具体实施方式

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。