[发明专利]半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种半导体集成电路器件，包括：

半导体衬底；

多个I/O单元，形成在所述半导体衬底中，

电源线，用于向所述I/O单元供给工作电源，所述电源线由在所述I/O单元之上的多个互连层形成；

键合焊盘，形成在所述电源线的上层中并处于与所述I/O单元对应的位置；以及

引出区域，用于将所述I/O单元电耦合到所述键合焊盘，

其中所述电源线包括：

第一电源线，待设置成高电势侧供给电压电平；以及

第二电源线，待设置成接地电平；

其中所述I/O单元包括：

第一元件，耦合到所述第一电源线；以及

第二元件，耦合到所述第二电源线；以及

其中所述第一元件设置在所述第一电源线侧且所述第二元件设置在所述第二电源线侧。

2.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中所述引出区域包括：

第一引出区域，用于将所述I/O单元从所述第一电源线侧电耦合至所述键合焊盘；以及

第二引出区域，用于将所述I/O单元从所述第二电源线侧电耦合至所述键合焊盘。

3.根据权利要求1的半导体集成电路器件，进一步包括：在所述I/O单元和所述键合焊盘之间的多个互连层，

其中所述第一电源线和所述第二电源线由除了在所述键合焊盘正下方的互连层以外的互连层形成。

4.根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中所述第一元件包括：

p沟道型MOS晶体管，用于输出数据；以及

第一二极管元件，用于保护所述p沟道型MOS晶体管；以及

其中所述第二元件包括：

n沟道型MOS晶体管，用于输出数据；以及

第二二极管元件，用于保护所述n沟道型MOS晶体管。

5.根据权利要求4的半导体集成电路器件，其中所述I/O单元包括：

第一保护电阻元件，耦合在所述p沟道型MOS晶体管和所述第一二极管元件之间；以及

第二保护电阻元件，耦合在所述n沟道型MOS晶体管和所述第二二极管元件之间。

6.根据权利要求4的半导体集成电路器件，其中所述I/O单元包括：

预缓冲器，用于基于待输出的数据来驱动所述p沟道型MOS晶体管和n沟道型MOS晶体管。

7.根据权利要求1的半导体集成电路器件，进一步包括：

电源单元，用于获得电源；

电源键合焊盘，形成在所述电源单元之上；以及

电源引出区域，用于将所述电源单元电耦合至所述电源键合焊盘，

其中，所述电源单元包括用于保护电路免受电涌的保护元件；以及

其中在所述保护元件中，耦合到所述电源线的保护元件设置在所述电源线的附近。