[发明专利]有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法

权利要求书

1.有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法，使用锐钛矿晶体钛溶胶，其特征在于包括以下步骤：

1)、将有机半导体加入锐钛矿晶体钛溶胶中，并搅拌均匀，得有机半导体复合钛溶胶；所述锐钛矿晶体钛溶胶与有机半导体的重量比为5～100∶1；

2)、将带有孔道的纳米多孔氧化铝模板浸入有机半导体复合钛溶胶中，使所述溶胶填充于模板的孔道内；

或者将有机半导体复合钛溶胶置于带有孔道的纳米多孔氧化铝模板的一侧，在所述模板的另一侧施加负压，使所述溶胶流经模板的孔道，最终使溶胶填充于模板的孔道内；

3)、取出上述纳米多孔氧化铝模板，干燥；

4)、用碱或酸溶去纳米多孔氧化铝模板，得到有机半导体复合氧化钛纳米线。

2.根据权利要求1所述的有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法，其特征在于：在步骤3)之后再依次重复步骤2)～3)1～3次后，然后进行所述步骤4)。

3.根据权利要求1或2所述的有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法，其特征在于：所述有机半导体为聚噻酚和聚苯胺类物质中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法，其特征在于：步骤3)中的干燥为室温下晾干或40～120℃烘干。