[发明专利]光蚀刻用防护膜组件

说明书

技术领域

本发明涉及光蚀刻用防护膜组件；尤其涉及一种光蚀刻用防护膜组件，其在制造LSI、超LSI等之半导体设备或液晶显示面板等时，作为除尘器而使用；还涉及一种光蚀刻用防护膜组件，其在要求高分辨率之曝光处理时，使用于其中所进行之200nm以下的紫外线曝光。

背景技术

自以往，于LSI、超LSI等半导体装置或液晶显示面板等的制造中，系将光加以照射到半导体晶片或液晶用之液晶原版，以制作图案。然而，此时所用之曝光原版上附着有粉尘时，由于该粉尘将吸收光线，或反射光线，于是发生所转印之图案变形，或边缘不平整的情况。而造成尺寸、品质、外观等皆受损，半导体装置或液晶显示面板等之性能及制造生产量降低的问题。

因此，该等作业通常在无尘室内进行；但即便在此无尘室内，欲将曝光原版总是保持在正常状态，实有其困难。从而，业者采用一种方法，于曝光原版之表面贴附防护膜组件，用以去除粉尘，而使得曝光用光线穿透良好。

此时，由于粉尘不会直接附着到曝光原版之表面，而附着在防护膜上，因此在进行蚀刻制程时，若能将焦点向着曝光原版上的图案对准好，则形成防护膜组件上之粉尘不会影响转印的状态。

于该防护膜组件中，对于使光线穿透良好之由硝化纤维素、醋酸纤维素等所构成的透明防护膜，系在铝、不锈钢、聚乙烯等所构成的防护膜框架之上部，涂布防护膜之良好溶剂且风干之，而接着该防护膜(参照专利文献1)，或者以环氧树脂接着(参照专利文献2、专利文献3)，或者以丙烯树脂或氟素聚合物接着剂(参照专利文献4)等之接着剂加以接着。又，于防护膜框架之下部，则接着由聚丁烯树脂、聚醋酸乙烯树脂、丙烯树脂、硅氧树脂等所构成之粘接层，以及用以保护粘接层的分离层而构成。

【专利文献1】日本专利特开昭58-219023号公报

【专利文献2】美国专利专利第4861402号说明书

【专利文献3】日本专利特公昭63-27707号公报

【专利文献4】日本专利特开平7-168345号公报

近年来，随着光蚀刻分辨率不断提高，且为实现其分辨率，短波长光线遂逐渐被当作光源使用。具体而言，进展成紫外线[g线(436nm)、I线(365nm)、KrF准分子激光(248nm)]，甚且近年已开始采用ArF准分子激光(193nm)。

于半导体用曝光装置中，系藉由短波长光线，将所制作于掩模的图案印附于硅晶片。然而，于掩模及硅氧晶片上有凹凸时，曝光时将发生焦点偏移，且所印附的图案更将产生问题。随着细微化之日益进展，对于掩模及硅氧晶片之平坦度的要求变得越加严格。因此，有关掩模所要求之平坦度，在图案面也从平坦度2μm之要求而逐渐变严，甚至在65nm技术节点以后，更出现0.5μm、0.25μm的要求。

另一方面，在完成掩模后，将防护膜组件贴附到掩模，供作图案去除粉尘之用；然而，防护膜组件贴附到掩模时，将产生掩模之平坦度变化的现象。一般而言，此系因防护膜框架的凹凸影响掩模的平坦度所致。

防护膜组件系隔着位于防护膜框架之单侧的掩模粘接剂，而贴附于掩模；然而，防护膜组件贴附到掩模时，通常以20～30kg左右的力量将防护膜组件加压到掩模。就TIR值而言，一般掩模之平坦度在数μm以下，而最尖端技术之掩模则为1μm以下。然而，防护膜框架之平坦度通常达数十μm左右，相较于掩模之平坦度，为数甚大。因此，当防护膜组件贴附到掩模时，会出现由于防护膜框架的凹凸使掩模之平坦度发生变化的情况。在此可知，若能将防护膜框架之平坦度提高，使其与掩模的平坦度相同，则能减少掩模之平坦度变化。

一般而言，防护膜框架采用铝合金制作。又，半导体光蚀刻用之防护膜框架系宽150mm左右，长110～130mm左右，且中央部呈贯穿形状。一般系藉由将铝合金板切成框架的形状，或者将铝材挤制成型而制成框架形状，以制作防护膜框架。然而，由于2mm左右之宽度过窄，因此容易变形，并不易制造出平坦的防护膜框架。因此，欲使防护膜框架达到与掩模相同之平坦度，非常困难。

发明内容

发明所欲解决的问题

本发明系有鉴于上述情况所构成，其课题为：不取决于防护膜框架之端面的平滑度，而实现贴附有防护膜组件之掩模表面的平滑性。

解决问题的方法

本发明之光蚀刻用防护膜组件的特征为：供作将防护膜组件贴附到掩模的掩模粘接剂，其厚度在0.4mm以上，且该掩模粘接剂于23℃之弹性模量在0.5MPa以下。

发明的效果