[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号： | 200710153570.4 | 申请日： | 2004-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101123178A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 釜石贵之;岛村明典;森嶋雅人 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3065;H01L21/3213;H01L21/67;H01J37/32;H05H1/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置，对被处理基板进行等离子体处理，其特征在于，该等离子体处理装置具备：
收容被处理体的腔室；
具有以与腔室连通的方式设置在所述腔室上方的由电介质构成的钟罩和线圈状地卷绕在所述钟罩的外侧周围并在所述钟罩内形成感应电场的天线，向着所述钟罩的内侧使等离子体产生的等离子体发生部；
设置在所述等离子体发生部和所述腔室之间，将等离子体形成用的气体导入由所述等离子体发生部和所述腔室划成的处理空间的气体导入机构；
设置在所述腔室内的支撑被处理体的载置台；和
由电介质构成的覆盖所述载置台并且载置所述被处理体的掩模，
所述掩模形成载置所述被处理体的第一区域和所述第一区域的周围的第二区域具有相同高度的构成。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述第二区域中设置有用于使所述被处理体定位于所述第一区域的位置中的多个突起。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述第一区域中设置有使所述被处理体从所述载置台浮起用的升降销贯通的多个销孔和与所述销孔连通的槽图案。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
由所述钟罩的内径D与所述钟罩的中央部的内法线高度H之比D/H表示的扁平率K为1.60～9.25。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
由所述钟罩的内径D与从所述钟罩的中央部的顶板部分到所述载置台的距离H1之比D/H1表示的扁平率K1为0.90～3.85。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述钟罩呈现出由半径R1为1600mm～2200mm的顶壁部、圆筒状的侧壁部、连接所述顶壁部和所述侧壁部的半径R2为20mm～40mm的角部构成的多半径圆顶形状。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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