[发明专利]可提供可变电阻值的控制电阻电路以及滤波电路有效
申请号: | 200710153309.4 | 申请日: | 2007-09-14 |
公开(公告)号: | CN101166021A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 吴家欣;王守琮;钟元鸿 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H03H11/40 | 分类号: | H03H11/40;H03H11/04 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提供 可变 阻值 控制 电阻 电路 以及 滤波 | ||
1.一种可提供可变电阻值的可控制电阻电路,其特征在于,该可提供可变电阻值的可控制电阻电路包括:
第一晶体管,具有第一端子、第二端子与第三端子;
电容器,具有第一端和第二端,所述的第一端连接至所述的第一晶体管的第一端子以及所述的第二端连接至参考节点;
充电单元,用以在第一周期内对所述的电容器进行充电;以及
放电单元,用以在第二周期内对所述的电容器进行放电;
其中所述的可控制电阻电路的可变电阻值是由所述的第一晶体管的第二端子与第三端子之间的等效电阻值来决定。
2.如权利要求1所述的可提供可变电阻值的可控制电阻电路,其特征在于,所述的参考节点具有关于所述的第一晶体管的第三端子的偏压电压值。
3.如权利要求1所述的可提供可变电阻值的可控制电阻电路,其特征在于,所述的第一晶体管是金属氧化物半导体场效应管,所述的第一晶体管的端子为第一栅极、所述的第一晶体管的第二端子为漏极以及所述的第一晶体管的第三端子为源极。
4.如权利要求1所述的可提供可变电阻值的可控制电阻电路,其特征在于,所述的充电单元是具有第一开关的第一电流源,所述的放电单元是具有第二开关的第二电流源;在所述的第一周期内,所述的第一开关呈闭路状态且所述的第二开关呈开路状态,以及在所述的第二周期内,所述的第二开关呈闭路状态且所述的第一开关呈开路状态。
5.如权利要求1所述的可提供可变电阻值的可控制电阻电路,其特征在于,所述的充电单元包括:
第二晶体管,具有第四端子、连接至稳定电压供应端的第五端子和连接至所述的第一晶体管的第一端子的第六端子,以及
所述的放电单元包括第三晶体管与电阻器,所述的第三晶体管具有连接至所述的第二晶体管的第四端子的第七端子、连接至所述的电阻器的第三端的第八端子和连接至所述的电容器的第二端的第九端子,所述的电阻器还包括连接至所述的第一晶体管的第一端子的第四端。
6.如权利要求5所述的可提供可变电阻值的可控制电阻电路,其特征在于,所述的第二晶体管是P型金属氧化物半导体场效应管;以及所述的第三晶体管是N型金属氧化物半导体场效应管;其中所述的第二晶体管的第四端子为栅极、所述的第二晶体管的第五端子为源极以及所述的第二晶体管的第六端子为漏极,所述的第三晶体管的七端子为栅极、所述的第三晶体管的第八端子为漏极以及所述的第三晶体管的第九端子为源极。
7.如权利要求1所述的可提供可变电阻值的可控制电阻电路,其特征在于,所述的电容器的第二端与所述的第一晶体管的第三端子均连接至接地端。
8.如权利要求1所述的可提供可变电阻值的可控制电阻电路,其特征在于,所述的第一周期与所述的第二周期彼此不重叠。
9.一种电阻电路,用以提供可变电阻值,其特征在于,该电阻电路包括:
第一晶体管,具有第一端子、第二端子与第三端子;
电容器,具有连接至所述的第一晶体管的第一端子的第一端以及连接至接地端的第二端;
电阻器,具有第三端以及第四端,所述的第三端连接至所述的第一晶体管的第一端子;
第二晶体管,具有第四端子、连接至稳定电压供应端的第五端子及连接至所述的第一晶体管的第一端子的第六端子;
第三晶体管,具有连接至所述的第二晶体管的第四端子的第七端子、连接至所述的电阻器的第四端的第八端子、以及第九端子;
第一电压源,具有连接至所述的第一晶体管的第三端子的第五端以及连接至所述的接地端的第六端;以及
第二电压源,具有连接至所述的第三晶体管的第九端子的第七端以及连接至所述的接地端的第八端;
其中所述的可变电阻值是由所述的第一晶体管的第二端子与第三端子之间的等效电阻值来决定。
10.如权利要求9所述的电阻电路,其特征在于,所述的第一晶体管是金属氧化物半导体场效应管,该第一晶体管的第一端子为栅极、该第一晶体管的第二端子为漏极以及该第一晶体管的第三端子为源极。
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