[发明专利]光半导体装置有效
| 申请号： | 200710153201.5 | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101158731A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 木岛公一朗 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G02B6/10 | 分类号： | G02B6/10;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种光半导体装置，其包括：
半导体区域；
光波导路，其被夹在所述半导体区域内形成的第一光封入层和第二光封入层之间；
绝缘膜区域，其形成在所述光波导路的弯曲部中央部的外侧及内侧的至少一侧上的所述半导体区域。
2.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，所述绝缘膜区域自所述光波导路的侧面上方形成在外侧以及内侧的一侧上的所述半导体区域。
3.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，所述光波导路由脊型的光波导路构成。
4.如权利要求1所述的光半导体装置，其特征在于，所述绝缘膜区域兼作为在形成有所述绝缘膜区域的所述半导体区域上形成的MOS器件的元件分离区域。
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