[发明专利]系统级封装型半导体装置用树脂组成物套组无效
申请号: | 200710152805.8 | 申请日: | 2007-09-12 |
公开(公告)号: | CN101153212A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 隅田和昌;加藤馨;下田太郎 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | C09K3/10 | 分类号: | C09K3/10;C08L63/02;C08G59/56;C08K3/00;H01L23/29 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 余岚 |
地址: | 日本东京千代*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 系统 封装 半导体 装置 树脂 组成 物套组 | ||
1.一种套组,其是用来形成系统级封装型半导体装置的底部填充部的底部填充剂、用来形成所述系统级封装型半导体装置的树脂密封部的树脂密封剂的套组,所述系统级封装型半导体装置包括:
基板;
以倒装芯片方式连接在所述基板上的第一半导体元件;
所述第一半导体元件与所述基板之间的所述底部填充部;
配置在所述第一半导体元件上侧的至少一个第二半导体元件;以及
覆盖所述第一半导体元件、所述底部填充部以及所述第二半导体元件的所述树脂密封部,
所述套组的特征在于满足下述条件:
1)底部填充剂硬化物的Tg大于等于100℃,并且与树脂密封剂硬化物的Tg之差小于等于20℃;
2)所述底部填充剂硬化物在小于等于(Tg-30℃)的温度下的线膨胀系数与所述树脂密封剂硬化物在小于等于(Tg-30℃)的温度下的线膨胀系数之和小于等于42ppm/℃;以及
3)所述树脂密封剂硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的线膨胀系数相对于所述底部填充剂硬化物在小于等于(Tg-30℃)下的线膨胀系数之比为0.3~1.0。
2.根据权利要求1所述的套组,其特征在于:
所述底部填充剂含有:
(A)环氧树脂;
(B)硬化剂,其量满足[(A)环氧树脂中的环氧基的当量/(B)硬化剂中的环氧基与反应性基团的当量]为0.7~1.2;以及
(C)无机填充剂,相对于100重量份(A),此(C)无机填充剂为50重量份~500重量份;以及
所述树脂密封剂含有:
(a)联苯基芳烷基型环氧树脂或者三苯基环氧树脂;
(b)联苯基芳烷基型酚树脂或者三苯基酚树脂,其量满足[(a)联苯基芳烷基型环氧树脂或者三苯基环氧树脂中的环氧基的当量/(b)联苯基芳烷基型酚
树脂或者三苯基酚树脂中的酚性羟基的当量]为0.8~1.2;以及
(c)无机填充剂,相对于(a)联苯基芳烷基型环氧树脂或者三苯基环氧树脂与(b)联苯基芳烷基型酚树脂或者三苯基酚树脂的总量100重量份,此(c)无机填充剂为500重量份~1,100重量份。
3.根据权利要求2所述的套组,其特征在于:(B)硬化剂是胺硬化剂或者过氧化物硬化剂。
4.根据权利要求3所述的套组,其特征在于:(B)硬化剂是以下述式(1)、式(2)、式(3)或者式(4)表示的芳香族胺化合物中的至少1种,式中,R1~R4互相独立为选自碳数为1~6的一价烃基、CH3S-以及C2H5S-中的基团。
5.根据权利要求2所述的套组,其特征在于:所述(C)无机填充剂是以溶胶凝胶法或者爆燃法制造的平均粒径为0.1μm~5μm的球状二氧化硅。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的套组,其特征在于:
所述(A)环氧树脂是选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂以及下述3种环氧树脂,式中,R是碳数为1~20的一价烃基,n是1~4的整数;以及
所述(a)联苯基芳烷基型环氧树脂或者三苯基环氧树脂是联苯基芳烷基型环氧树脂。
7.一种半导体装置,其是系统级封装型半导体装置,所述系统级封装型半导体装置包括:
基板;
以倒装芯片方式连接在所述基板上的第一半导体元件;
所述第一半导体元件与所述基板之间的底部填充部;
配置在所述第一半导体元件上侧的至少1个第二半导体元件;以及
覆盖所述第一半导体元件、所述底部填充部以及所述第二半导体元件的树脂密封部,
所述半导体装置的特征在于:所述底部填充部以及所述树脂密封部分别由根据权利要求1至6中任一项所述的套组的底部填充剂硬化物以及树脂密封剂硬化物所构成。
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