[发明专利]光能电池及其红光转换层无效
| 申请号: | 200710152316.2 | 申请日: | 2007-09-26 |
| 公开(公告)号: | CN101188255A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
| 发明(设计)人: | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请(专利权)人: | 罗维鸿 |
| 主分类号: | H01L31/055 | 分类号: | H01L31/055;H01L31/0232 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 200231上海市徐*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光能 电池 及其 红光 转换 | ||
1.一种硅基光能电池,其系由一硅片构件组,覆盖一玻璃,以及于两者之间的一转换层组成,其特征在于:该转换层可吸收太阳辐射的紫外线、蓝-紫或黄-绿光部分,同时将其光变换为光致发光,该转换层可吸收太阳辐射的最大值,使该转换层的光致发光光谱最大值位于单晶硅光敏性光谱区域。
2.如权利要求1所述的硅基光能电池,其中该玻璃可为脱色锋面玻璃。
3.如权利要求1所述的硅基光能电池,其中该光致发光位于电磁波谱的橙色、红色、近红外线以及中红外线次能带。
4.如权利要求3所述的硅基光能电池,其中该转换层所吸收太阳辐射的最大值为λ=470~490nm。
5.如权利要求1所述的硅基光能电池,其中该转换层的光致发光光谱最大值位于该单晶硅的光敏性光谱区域,其为λ=700~900nm区域。
6.如权利要求1所述的硅基光能电池,其中该转换层系由纳米尺寸的含氧无机荧光粉粉末所组成,该荧光粉系由周期系统IIIA及IVA族元素所制备,并具有立方结晶构造,在此情况下,该荧光粉粉末的几何尺寸小于辐射于它的光波波长,即dcp荧<λ光。
7.如权利要求1所述的硅基光能电池,其中该转换层中填充有乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯类型的透光聚合物,该聚合物中填充α-Al2O3-Ti2O3组成的荧光粉,且该荧光粉均匀分布于透光聚合物中,其体积浓度为0.05%~5%。
8.如权利要求7所述的硅基光能电池,其中该转换层中进一步添加激活剂钛离子,其中钛离子的氧化度为Ti+3。
9.如权利要求1所述的硅基光能电池,其中它的锋面部分具有蓝-淡绿色泽,对于第一级太阳辐射的吸收效率≥60~75%。
10.如权利要求1所述的硅基光能电池,其中该转换层对于太阳辐射的有效利用可增加15~28%。
11.一种红光转换层,其可吸收太阳辐射的紫外线、蓝-紫或黄-绿光部分,同时将其光变换为光致发光,该转换层可吸收太阳辐射的最大值,使该转换层的光致发光光谱最大值位于硅基光能电池光敏性光谱区域。
12.如权利要求11所述的红光转换层,其中该光致发光位于电磁波谱的橙色、红色、近红外线以及中红外线次能带。
13.如权利要求11所述的红光转换层,其中该转换层所吸收太阳辐射的最大值为λ=470~490nm。
14.如权利要求11所述的红光转换层,其中该转换层的光致发光光谱最大值位于该单晶硅的光敏性光谱区域,其为λ=700~900nm区域。
15.如权利要求11所述的红光转换层,其系由纳米尺寸的含氧无机荧光粉粉末所组成,该荧光粉系由周期系统IIIA及IVA族元素所制备,并具有立方结晶构造,在此情况下,该荧光粉粉末的几何尺寸小于辐射于它的光波波长,即dcp荧<λ光。
16.如权利要求11所述的红光转换层,其中该转换层中填充有乙基乙酸乙烯酯或聚碳酸酯类型的透光聚合物,该聚合物中填充α-Al2O3-Ti2O3组成的荧光粉,且该荧光粉均匀分布于透光聚合物中,其体积浓度为0.05%~5%。
17.如权利要求16所述的红光转换层,其中该转换层进一步添加激活剂钛离子,其中钛离子的氧化度为Ti+3。
18.如权利要求11所述的红光转换层,其中该转换层对于太阳辐射的有效利用可增加15~28%。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





