[发明专利]磁性随机存取存储器

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储器，包括：

多个存储单元，构成一阵列，每一该存储单元有磁性自由叠层与固定叠层，该固定叠层的磁化向量皆朝预定方向设置，该磁性自由叠层有磁性易轴；

多条写入字线，用以依照栓扣操作磁场模式，分别对应施加磁场给该阵列的多个行的该存储单元；以及

多条写入位线，与该写入字线垂直，用以依照该栓扣操作磁场模式，分别对应施加磁场给该阵列的多个列的该存储单元，

其中相邻的二个该存储单元的二个该磁性易轴相互垂直，且该固定叠层的该磁化向量的该预定方向与该磁性自由层的该磁性易轴方向垂直并与该写入字线相夹45度，奇数的写入字线与偶数的写入字线的二电流方向是相反，且奇数的写入位线与偶数的写入位线的二电流方向是相反。

2.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中该写入字线与该写入位线依时序所产生的相加磁场，会旋转该磁性自由叠层的磁化向量的方向。

3.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中奇数的写入位线产生沿正X方向的磁场，奇数的写入字线产生沿正Y方向的磁场。

4.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中偶数的写入位线产生沿负X方向的磁场，偶数的写入字线产生沿负Y方向的磁场。

5.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器，还包括：

多条读取字线，用于分别与该阵列的多个行的该存储单元耦接；

多条读取位线，用于分别与该阵列的多个列的该存储单元耦接，

其中通过该读取字线与该读取位线，用以读取被选择的该存储单元的数据磁电阻以及相邻的该存储单元的参考磁电阻。

6.如权利要求5所述的磁性随机存取存储器，其中该参考磁电阻是介于稳定高磁电阻与稳定低磁电阻之间。

7.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中相邻二个该存储单元的其一被选择以读取磁电阻时，另其一做为参考存储单元以提供参考磁电阻。

8.如权利要求7所述的磁性随机存取存储器，其中被选择读取的该存储单元的该磁电阻是比该参考磁电阻大或小，以决定所储存的一个二进位数据。

9.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中每一该存储单元分别通过开关晶体管耦接到地电压。

10.如权利要求1所述的磁性随机存取存储器，其中对于该阵列的相同一行的该存储单元，相邻的每二个该存储单元，共同通过开关晶体管耦接到地电压。

11.一种磁性随机存取存储单元，接受二条写入字线和二条写入位线的控制，包括：

四个存储单元构成2×2的阵列单元，其中每一该存储单元有磁性自由叠层与固定叠层，该固定叠层的磁化向量皆朝预定方向设置，该磁性自由叠层有磁性易轴，

其中相邻的二个该存储单元的二个该磁性易轴相互垂直，且该固定叠层的该磁化向量的该预定方向与该磁性自由层的该磁性易轴方向垂直并与该写入字线相夹45度，该二条写入字线的二电流方向相反，该二条写入位线的二电流方向相反，相邻二个该存储单元的其一被选择以读取磁电阻时，另其一做为参考存储单元以提供参考磁电阻。

12.如权利要求11所述的磁性随机存取存储单元，其中该二条写入字线和该二条写入位线相互垂直，且该二条写入字线与该二条写入位线依时序所产生的相加磁场，会旋转该磁性自由叠层的磁化向量的方向。

13.如权利要求11所述的磁性随机存取存储单元，其中被选择读取的该存储单元的该磁电阻，依照栓扣操作模式，是处在比该参考磁电阻大或小的状态，以决定所储存的一个二进位数据。

14.如权利要求11所述的磁性随机存取存储单元，其中每一该存储单元分别通过开关晶体管耦接到地电压。

15.如权利要求11所述的磁性随机存取存储单元，其中对于相同一行的二个该存储单元，共同通过开关晶体管耦接到地电压。