[发明专利]被覆切削工具和用于制造该被覆切削工具的方法有效
| 申请号: | 200710149742.0 | 申请日: | 2007-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN101138900A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
| 发明(设计)人: | 渡边润;曾根叶平 | 申请(专利权)人: | 株式会社图格莱 |
| 主分类号: | B32B33/00 | 分类号: | B32B33/00;B32B9/00;C23C16/30;C04B41/80 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王旭 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 被覆 切削 工具 用于 制造 方法 | ||
1.一种被覆切削工具,其包含表面涂敷有包含至少一层的涂膜的基材,所述涂膜包含至少一层由TiCN柱状晶体膜组成的层,
其中在与所述基材的表面平行的方向上测量时,所述TiCN柱状晶体膜具有0.05至0.5μm的平均晶粒尺寸,并且在使用CuKα辐射测量时,所述TiCN柱状晶体膜显示出具有衍射角2θ在121.5至122.6°的范围内的峰的X-射线衍射图,其中所述峰归属于所述TiCN柱状晶体的(422)晶体小面。
2.根据权利要求1所述的被覆切削工具,其中归属于所述TiCN柱状晶体膜的(422)晶体小面的所述峰的半宽度值为0.40至0.60°。
3.根据权利要求1或2所述的被覆切削工具,其中所述TiCN柱状晶体膜显示出在归属于(422)晶体小面的所述峰处具有最高强度的X-射线衍射图。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的被覆切削工具,其中在所述TiCN柱状晶体膜中含有的碳相对于碳和氮之和的原子比{C/(C+N)}为0.70至0.90。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的被覆切削工具,其中所述TiCN柱状晶体膜是使用包含具有2至20个碳原子的链烃、有机氰化合物、四氯化钛和氢气的原料气体,通过温度在700至900℃的范围内的CVD法沉积的涂膜。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的被覆切削工具,其中所述涂膜具有7至25μm的平均厚度。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的被覆切削工具,其中所述涂膜包含内膜和外膜,其中所述内膜包含至少一层由平均厚度为5至20μm的TiCN柱状晶体膜组成的层,并且所述外膜包含至少一层由平均厚度为1.5至10μm的氧化铝膜组成的层。
8.根据权利要求7所述的被覆切削工具,其中所述氧化铝膜是α-氧化铝膜。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的被覆切削工具,其中所述基材是硬质合金基材。
10.一种用于制造被覆切削工具的方法,所述方法包括使用包含具有2至20个碳原子的链烃、有机氰化合物、四氯化钛和氢气的原料气体,通过温度在700至900℃的范围内的CVD法沉积TiCN柱状晶体膜。
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