[发明专利]被覆切削工具和用于制造该被覆切削工具的方法有效

专利信息
申请号: 200710149742.0 申请日: 2007-09-05
公开(公告)号: CN101138900A 公开(公告)日: 2008-03-12
发明(设计)人: 渡边润;曾根叶平 申请(专利权)人: 株式会社图格莱
主分类号: B32B33/00 分类号: B32B33/00;B32B9/00;C23C16/30;C04B41/80
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王旭
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 被覆 切削 工具 用于 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种被覆切削工具,其包含表面涂敷有包含至少一层的涂膜的基材,所述涂膜包含至少一层由TiCN柱状晶体膜组成的层,

其中在与所述基材的表面平行的方向上测量时,所述TiCN柱状晶体膜具有0.05至0.5μm的平均晶粒尺寸,并且在使用CuKα辐射测量时,所述TiCN柱状晶体膜显示出具有衍射角2θ在121.5至122.6°的范围内的峰的X-射线衍射图,其中所述峰归属于所述TiCN柱状晶体的(422)晶体小面。

2.根据权利要求1所述的被覆切削工具,其中归属于所述TiCN柱状晶体膜的(422)晶体小面的所述峰的半宽度值为0.40至0.60°。

3.根据权利要求1或2所述的被覆切削工具,其中所述TiCN柱状晶体膜显示出在归属于(422)晶体小面的所述峰处具有最高强度的X-射线衍射图。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的被覆切削工具,其中在所述TiCN柱状晶体膜中含有的碳相对于碳和氮之和的原子比{C/(C+N)}为0.70至0.90。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的被覆切削工具,其中所述TiCN柱状晶体膜是使用包含具有2至20个碳原子的链烃、有机氰化合物、四氯化钛和氢气的原料气体,通过温度在700至900℃的范围内的CVD法沉积的涂膜。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的被覆切削工具,其中所述涂膜具有7至25μm的平均厚度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的被覆切削工具,其中所述涂膜包含内膜和外膜,其中所述内膜包含至少一层由平均厚度为5至20μm的TiCN柱状晶体膜组成的层,并且所述外膜包含至少一层由平均厚度为1.5至10μm的氧化铝膜组成的层。

8.根据权利要求7所述的被覆切削工具,其中所述氧化铝膜是α-氧化铝膜。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的被覆切削工具,其中所述基材是硬质合金基材。

10.一种用于制造被覆切削工具的方法,所述方法包括使用包含具有2至20个碳原子的链烃、有机氰化合物、四氯化钛和氢气的原料气体,通过温度在700至900℃的范围内的CVD法沉积TiCN柱状晶体膜。

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