[发明专利]使用蚀刻反应器蚀刻纳米压印模板

权利要求书

1.一种用于处理光刻中间掩模的方法，包括：

在设置于中间掩模的抗蚀剂材料层上放置模具，该中间掩模具有形成于光学透明衬底上的金属光掩模层；

在所述中间掩模上固化所述抗蚀剂材料；

去除所述模具以在固化的抗蚀剂材料上留下印迹；

将经过压印的中间掩模放置在处理腔室中的支架构件上；

使用在所述处理腔室中形成的等离子体，蚀刻经过压印的抗蚀剂材料的凹陷区域以暴露部分所述金属光掩模层；以及

应用所述等离子体以透过压印过的抗蚀剂材料蚀刻所述金属光掩模层的暴露部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，固化步骤进一步包括：

传送透过所述模具固化所述抗蚀剂材料的能量以固化与所述模具保持接触的所述抗蚀剂材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻经过压印的抗蚀剂材料的凹陷区域的步骤进一步包括：

提供第一气体混合物到所述处理腔室，其中等离子体由该第一气体混合物形成，所述第一气体混合物包括氧气体、含卤素气体以及含氯气体。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，蚀刻经过压印的抗蚀剂材料的凹陷区域的步骤进一步包括：

提供惰性气体到所述第一气体混合物中，所述惰性气体占总气体混合物体积的大约5％到约40％之间。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，蚀刻所述金属光掩模层的暴露部分的步骤进一步包括：

提供第二气体混合物到所述处理腔室中，其中等离子体由该第二气体混合物形成，所述第二气体混合物包括含氧气体、含卤素气体以及含氯气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，蚀刻经过压印的抗蚀剂材料的凹陷区域并蚀刻所述金属光掩模层的暴露部分的步骤在处理腔室中原处执行。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

将抗蚀剂材料的第二层沉积于经过蚀刻的金属光掩模层上；

构图所述抗蚀剂材料的第二层以暴露衰减材料；以及

穿透所构图的抗蚀剂材料的第二层而等离子蚀刻所述衰减材料的暴露部分以形成相移光掩模。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，构图所述抗蚀剂材料的第二层的步骤进一步包括：

压印所述抗蚀剂材料的第二层；

蚀刻经过压印的抗蚀剂材料第二层的凹陷区域以暴露部分衰减材料。

9.一种处理光刻掩模的方法，包括：

将掩模放置在处理腔室的支架构件上，其中所述中间掩模包括形成于光学透明衬底上的金属光掩模层和沉积于所述金属光掩模层之上的经过压印的抗蚀剂材料；

将包括含氧气体、含氯气体和含卤素气体的处理气体引入到所述处理腔室中；

利用从所述处理气体形成的等离子体，蚀刻经压印的抗蚀剂材料的凹陷区域以暴露部分所述金属光掩模层；以及

利用所述等离子体透过经压印的抗蚀剂材料而蚀刻所述金属光掩模层的暴露部分。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，蚀刻经压印的抗蚀剂材料的凹陷区域的步骤进一步包括：

从含氧气体、含卤素气体以及含氯气体形成所述等离子体。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述蚀刻经压印的抗蚀剂材料的凹陷区域的步骤进一步包括：

与所述含氧气体、所述含卤素气体以及所述含氯气体一起提供惰性气体，所述惰性气体占用于形成所述等离子体的总气体体积的大约5％至约40％。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述等离子体基本不包括惰性气体。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，蚀刻所述金属掩模层的暴露部分的步骤进一步包括：

从含氧气体、含卤素气体以及含氯气体形成等离子体。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，蚀刻经压印的抗蚀剂材料的暴露区域以及蚀刻所述金属光掩模层的暴露区域的步骤在处理腔室中原位执行。