[发明专利]校准全息存储设备的装置、系统和方法有效
| 申请号: | 200710149195.6 | 申请日: | 2007-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN101140765A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
| 发明(设计)人: | D·J·维纳尔斯基;A·K·贝茨 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
| 主分类号: | G11B7/0065 | 分类号: | G11B7/0065;G11B20/18 |
| 代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;李峥 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 校准 全息 存储 设备 装置 系统 方法 | ||
技术领域
本发明涉及全息存储设备,更具体地说,涉及校准全息存储设备。
背景技术
数据处理系统正在存储越来越大量的数据。为了满足这一不断增长的要求,存储设备制造商不断提高磁存储设备、光存储设备等的面密度。不幸的是,诸如材料限制、顺磁限制、可用激光波长的限制之类的限制可能制约面密度的未来增长。
全息存储可以支持提高的数据存储密度,以提供支持日益增长的存储要求的技术。但是,要成为一种可行的存储技术,全息存储介质必须可在多个全息存储设备(包括不同型号的全息存储设备和来自不同制造商的设备)间相互交换。
例如,第一全息存储设备必须能够将数据写入可由第二全息存储设备读取的存储介质。此外,如果第二全息存储设备将其他数据写入存储介质,则第一全息存储设备必须能够从存储介质中读取所述其他数据。同样,第三全息存储设备必须能够成功读取由第一和第二全息存储设备两者写入的所有数据。
不幸的是,全息存储设备可能对由全息存储设备写入的数据和由其他全息存储设备写入的数据之间的差别足够敏感,以致损害了互操作性。例如,由于读取和写入通道的灵敏度,由不同制造商生产的第一和第二全息存储设备可能无法读取由对方写入的数据。
发明内容
通过上述讨论,发现需要一种校准全息存储设备的装置、系统和方法。有益地,此类装置、系统和方法将允许多个全息存储设备之间的互操作性。
开发了本发明以响应本领域的现状,具体地说,响应本领域中尚未完全由当前可用的全息存储设备校准方法所解决的问题和需要。相应地,开发了本发明以提供用于校准全息存储设备且克服了本领域中上面介绍的许多或全部缺点的装置、系统和方法。
校准全息存储设备的装置具有多个模块,所述模块配置为在功能上执行以下步骤:从全息介质读取厂家存储的全息照相,以及计算所读取的厂家存储的全息照相和第一全息图案之间的读取差异。这些模块在说明的实施例中包括读取通道和计算模块。所述装置还可以包括校准模块和写入通道。
所述读取通道从全息介质读取厂家存储的全息照相。在一个实施例中,所述厂家存储的全息照相被精确写入到所述全息介质上。所述厂家存储的全息照相可以位于所述全息介质的只读部分。备选地,可以将所述厂家存储的全息照相作为只读部分插入所述全息介质。
所述计算模块计算所读取的厂家存储的全息照相和第一全息图案之间的读取差异。所述第一全息图案数字地描述了所述厂家存储的全息照相。在一个实施例中,所述计算模块作为所述厂家存储的全息照相和第一全息图案的对应数据元素之间的多个差异来计算所述读取差异。
在一个实施例中,所述校准模块使用所述读取差异来校准所述读取通道。所述校准模块可以通过检测所述读取差异中的模式并调整所述读取通道以调节所述模式来校准所述读取通道。
在一个实施例中,所述写入通道将第二全息图案作为第二全息照相写入所述全息介质。所述第二全息图案可以数字地描述所述第二全息照相。所述写入通道可以在完成读取工作负荷之后和当且仅当存在未完成的写入工作负荷时写入所述第二全息图案。
如果完成了读取工作负荷和当且仅当存在未完成的写入工作负荷时,所述读取通道可以使用所述校准的读取通道从所述全息介质读取所述第二全息照相。此外,所述计算模块可以计算所读取的第二全息照相和所述第二全息图案之间的写入差异。
在一个实施例中,所述校准模决使用所述写入差异来校准所述写入通道。所述校准模块可以通过检测所述写入差异中的模式并调整所述写入通道以调节所述模式来校准所述写入通道。所述装置使用所述厂家存储的全息照相来计算所述读取通道的读取差异。此外,所述装置可以使用所述读取差异来校准所述读取通道。所述装置还可以校准所述写入通道的写入差异并校准所述写入通道。
还提供了本发明的校准全息存储设备的系统。所述系统可以包含在全息存储设备中。具体地说,在一个实施例中,所述系统包括全息介质、读取通道以及处理器。此外,所述系统还可以包括写入通道。
将所述全息介质配置为存储数字数据。此外,所述全息介质包括厂家存储的全息照相。所述读取通道从存储在所述全息介质中的全息照相来读取数字数据。所述写入通道可以将数字数据以全息照相的形式写入所述全息介质。
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