[发明专利]加工装置和吸盘工作台无效
| 申请号: | 200710149164.0 | 申请日: | 2007-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN101140892A | 公开(公告)日: | 2008-03-12 |
| 发明(设计)人: | 佐藤正视 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683;B23Q3/08 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 党晓林 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 加工 装置 吸盘 工作台 | ||
技术领域
本发明涉及对晶片实施加工的加工装置和在该加工装置中使用的、保持晶片的吸盘工作台。
背景技术
通过分割预定线划分形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI(large scale integration:大规模集成电路)等多个器件的晶片,由切削装置分割成各个器件,并用于移动电话、个人计算机等电子设备。
切削装置具有:保持晶片的吸盘工作台;对保持在该吸盘工作台上的晶片进行切削的切削单元;对吸盘工作台和切削单元相对地进行切削进给的切削进给单元;以及对吸盘工作台和切削单元相对地进行分度进给的分度进给单元,该切削装置可高效地将晶片分割成各个器件。
这里,为了可靠地切削晶片,需要高精度地控制对晶片的切入深度,在切削装置中,通过在实际进行切削之前进行切削刀具的调整作业,来确保切削刀具的切入深度的精度。在该切削刀具的调整作业中,切削刀具和吸盘工作台上表面的基准位置通过使切削刀具和吸盘工作台的框体接触并在接触时通电来进行电检测,所以围绕吸盘工作台的抽吸保持部的框体由具有导电性的金属形成(例如,参照专利文献1、2等)。
此外,为了提高生产效率,晶片的直径有300mm、甚至450mm的大直径化的趋势,保持晶片的吸盘工作台也对应于晶片的直径而有大直径化的趋势。
专利文献1:日本特开平11-254259号公报
专利文献2:日本特开2003-291043号公报
但是,现有的吸盘工作台是通过将用氧化铝陶瓷(线膨胀系数为6.0×10-6/℃)形成的抽吸保持晶片的多孔状抽吸保持部、和围绕该抽吸保持部的由不锈钢(线膨胀系数为10.4×10-6/℃)形成的框体用环氧树脂等结合起来而构成的,所以因抽吸保持部和框体的线膨胀系数的不同,而存在因为温度变化而引起吸盘工作台弯曲、或者抽吸保持部发生破裂、或者抽吸保持部从框体脱离这样的问题。特别是在要保持的晶片大直径化、且吸盘工作台大直径化的情况下,由于温度变化而引起的吸盘工作台的弯曲的程度变大,加工时的切入精度下降,所以不能高精度地加工晶片。
发明内容
本发明鉴于上述问题而完成,其目的是提供一种即使晶片大直径化且吸盘工作台大直径化,也不会出现吸盘工作台因温度变化而弯曲、或者抽吸保持部发生破裂、或者抽吸保持部从框体脱离的情况的加工装置和吸盘工作台。
为了解决上述问题达到上述目的,本发明的加工装置为这样的加工装置:具有保持晶片的吸盘工作台;对保持在该吸盘工作台上的晶片进行加工的加工单元;对所述吸盘工作台和所述加工单元相对地进行加工进给的加工进给单元;以及对所述吸盘工作台和所述加工单元相对地进行分度进给的分度进给单元,其特征在于,所述吸盘工作台具有:抽吸保持晶片的抽吸保持部;和围绕该抽吸保持部的、由金属形成的框体,所述抽吸保持部由线膨胀系数与形成所述框体的金属的线膨胀系数大致相同的多孔陶瓷形成。
此外,本发明的加工装置根据上述发明,其特征在于,所述框体由不锈钢形成,所述抽吸保持部由以氧化锆为主成分的多孔陶瓷形成。
此外,本发明的加工装置根据上述发明,其特征在于,所述加工单元是切削单元,其具有:可自由装卸地安装有切削刀具的主轴;和壳体,其将该主轴支撑为可以旋转,并且该壳体包括进行旋转驱动的驱动源。
另外,本发明的吸盘工作台是保持晶片的吸盘工作台,其特征在于,该吸盘工作台具有:抽吸保持晶片的抽吸保持部;和围绕该抽吸保持部的、由金属形成的框体,所述抽吸保持部由线膨胀系数与形成所述框体的金属的线膨胀系数大致相同的多孔陶瓷形成。
另外,本发明的吸盘工作台根据上述发明,其特征在于,所述框体由不锈钢形成,所述抽吸保持部由以氧化锆为主成分的多孔陶瓷形成。
根据本发明的加工装置和吸盘工作台,由于用线膨胀系数与形成框体的金属的线膨胀系数大致相同的多孔陶瓷形成构成吸盘工作台的抽吸保持部,所以可消除吸盘工作台因温度变化而弯曲、或者抽吸保持部发生破裂、或者抽吸保持部从框体脱离的问题,因此,具有这样的效果:在晶片大直径化且吸盘工作台大直径化的情况下,即使存在温度变化,也能抑制吸盘工作台的上表面精度的下降,能够高精度地加工晶片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪思科,未经株式会社迪思科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710149164.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





