[发明专利]导线架中具有金属焊垫的汇流条的交错偏移堆叠封装结构有效
| 申请号: | 200710148901.5 | 申请日: | 2007-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN101388382A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
| 发明(设计)人: | 陈煜仁;沈更新 | 申请(专利权)人: | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导线 具有 金属 汇流 交错 偏移 堆叠 封装 结构 | ||
1.一种多芯片堆叠的封装结构,其特征在于包含:
一导线架,由多个相对排列的内引脚、多个外引脚、至少一汇流条以及一芯片承座所组成,其中该芯片承座是配置于该多个相对排列的内引脚之间,且与该多个相对排列的内引脚形成一高度差,而该汇流条是配置于该多个相对排列的内引脚与该芯片承座之间,且与该芯片承座形成一共平面,且该汇流条上还被覆一绝缘层,该绝缘层上选择性地形成多个金属焊垫;
一多芯片交错偏移堆叠结构,是固接于该芯片承座之上,该多芯片交错偏移堆叠结构,由多个第一芯片及多个第二芯片交互交错并以一偏移量堆叠而成,且每一该第一芯片的一有源面上的一侧边附近配置并暴露多个焊垫及每一该第二芯片的有源面上的相对于该第一芯片的该多个暴露焊垫的另一侧边附近亦配置并暴露多个焊垫;
多条金属导线,用以将该多芯片交错偏移堆叠结构的该多个第一芯片及该多个第二芯片上的多个焊垫与该多个成相对排列的内引脚群电性连接;以及
一封装体,包覆该多芯片交错偏移堆叠结构及该导线架,该多个外引脚是伸出于该封装体外;
其中该多芯片交错偏移堆叠结构是越上层的芯片交互覆盖下层芯片的面积越大,以及配制在下层芯片的有源面上的焊垫均未被上层芯片所遮盖。
2.一种多芯片堆叠的封装结构,其特征在于包含:
一导线架,由多个外引脚、多个相对排列的内引脚、至少一汇流条以及一芯片承座所组成,其中该芯片承座是配置于该多个相对排列的内引脚之间,且与该多个相对排列的内引脚形成一高度差,而该汇流条是配置于该多个相对排列的内引脚与该芯片承座之间,且与这些内引脚形成一共平面,且该汇流条上还被覆一绝缘层,该绝缘层上选择性地形成多个金属焊垫;
一多芯片交错偏移堆叠结构,固接于该芯片承座的上,该多芯片交错偏移堆叠结构由多个第一芯片及多个第二芯片交互交错并以一偏移量堆叠而成且每一该第一芯片的一有源面上的一侧边附近配置并暴露多个焊垫及每一该第二芯片的有源面上的相对于该第一芯片的该多个暴露焊垫的另一侧边附近亦配置并暴露多个焊垫;
多条金属导线,用以将该多芯片交错偏移堆叠结构的该多个第一芯片及该多个第二芯片上的多个焊垫与该多个成相对排列的内引脚群电性连接;以及
一封装体,包覆该多芯片交错偏移堆叠结构及该导线架,该多个外引脚是伸出于该封装体外;
其中该多芯片交错偏移堆叠结构是越上层的芯片交互覆盖下层芯片的面积越大,以及配制在下层芯片的有源面上的焊垫均未被上层芯片所遮盖。
3.一种多芯片堆叠的封装结构,其特征在于包含:
一导线架,是由多个外引脚、多个相对排列的内引脚、至少一汇流条以及一芯片承座所组成,其中该芯片承座是配置于该多个相对排列的内引脚之间,且与该多个相对排列的内引脚形成一高度差,该汇流条配置于该多个相对排列的内引脚与该芯片承座之间,且与该多个相对排列的内引脚与该芯片承座形成一高度差,且该汇流条上还被覆一绝缘层,该绝缘层上选择性地形成多个金属焊垫;
一多芯片交错偏移堆叠结构,一多芯片交错偏移堆叠结构,固接于该芯片承座之上,该多芯片交错偏移堆叠结构由多个第一芯片及多个第二芯片交互交错并以一偏移量堆叠而成且每一该第一芯片的一有源面上的一侧边附近配置并暴露多个焊垫及每一该第二芯片的有源面上的相对于该第一芯片的该多个暴露焊垫的另一侧边附近亦配置并暴露多个焊垫;
多条金属导线,用以将该多芯片交错偏移堆叠结构的该多个第一芯片及该多个第二芯片上的多个焊垫与该多个成相对排列的内引脚群电性连接;以及
一封装体,包覆该多芯片交错偏移堆叠结构及该导线架,该多个外引脚是伸出于该封装体外;
其中该多芯片交错偏移堆叠结构是越上层的芯片交互覆盖下层芯片的面积越大,以及配制在下层芯片的有源面上的焊垫均未被上层芯片所遮盖。
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