[发明专利]快闪存储器无效
申请号: | 200710148801.2 | 申请日: | 2007-09-03 |
公开(公告)号: | CN101383350A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
发明(设计)人: | 黄信斌;萧清南;黄仲麟 | 申请(专利权)人: | 南亚科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 闪存 | ||
1.一种快闪存储器,包含:
基底;
包含多个储存晶体管的存储器单元串,设于该基底上,其中该等储存晶体管分别具有第一栅极长度;
包含第二栅极长度的第一选择栅极晶体管,串接于该存储器单元串;以及
包含第三栅极长度的第二选择栅极晶体管,串接于该第一选择栅极晶体管,其中该第一选择栅极晶体管及该第二选择栅极晶体管之一包含有凹入式栅极沟道。
2.如权利要求1所述的快闪存储器,其中该存储器单元串包含多个双位储存晶体管。
3.如权利要求1所述的快闪存储器,其中该第一栅极长度、第二栅极长度以及第三栅极长度相等。
4.一种快闪存储器,包含:
基底;
第一有源区域,位于该基底内,其中该第一有源区域上设有串接在同一行上的第一存储器单元串包含多个第一储存晶体管、第一选择栅极晶体管包含第一栅极长度以及第二选择栅极晶体管包含第二栅极长度,其中,该第一选择栅极晶体管包含第一水平式栅极沟道,该第二选择栅极晶体管包含第一凹入式栅极沟道,其中,该等储存晶体管分别具有第三栅极长度;以及
第二有源区域,位于该基底内,其中该第二有源区域上设有串接在同一行上的第二存储器单元串包含多个第二储存晶体管、第三选择栅极晶体管包含第四栅极长度以及第四选择栅极晶体管包含第五栅极长度,其中,该第三选择栅极晶体管包含第二凹入式栅极沟道,该第四选择栅极晶体管包含第二水平式栅极沟道,其中,该等储存晶体管分别具有第六栅极长度,
其中,该第一选择栅极晶体管和该第三选择栅极晶体管排列在同一列上,而该第二选择栅极晶体管和该第四选择栅极晶体管排列在同一列上。
5.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第一选择栅极晶体管紧邻该第三选择栅极晶体管。
6.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第二选择栅极晶体管紧邻该第四选择栅极晶体管。
7.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第一存储器单元串包含多个第一双位储存晶体管单元。
8.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第二存储器单元串包含多个第二双位储存晶体管单元。
9.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第四栅极长度、第五栅极长度以及第六栅极长度相等。
10.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第一栅极长度、第二栅极长度以及第三栅极长度相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的