[发明专利]快闪存储器无效

专利信息
申请号: 200710148801.2 申请日: 2007-09-03
公开(公告)号: CN101383350A 公开(公告)日: 2009-03-11
发明(设计)人: 黄信斌;萧清南;黄仲麟 申请(专利权)人: 南亚科技股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 闪存
【权利要求书】:

1.一种快闪存储器,包含:

基底;

包含多个储存晶体管的存储器单元串,设于该基底上,其中该等储存晶体管分别具有第一栅极长度;

包含第二栅极长度的第一选择栅极晶体管,串接于该存储器单元串;以及

包含第三栅极长度的第二选择栅极晶体管,串接于该第一选择栅极晶体管,其中该第一选择栅极晶体管及该第二选择栅极晶体管之一包含有凹入式栅极沟道。

2.如权利要求1所述的快闪存储器,其中该存储器单元串包含多个双位储存晶体管。

3.如权利要求1所述的快闪存储器,其中该第一栅极长度、第二栅极长度以及第三栅极长度相等。

4.一种快闪存储器,包含:

基底;

第一有源区域,位于该基底内,其中该第一有源区域上设有串接在同一行上的第一存储器单元串包含多个第一储存晶体管、第一选择栅极晶体管包含第一栅极长度以及第二选择栅极晶体管包含第二栅极长度,其中,该第一选择栅极晶体管包含第一水平式栅极沟道,该第二选择栅极晶体管包含第一凹入式栅极沟道,其中,该等储存晶体管分别具有第三栅极长度;以及

第二有源区域,位于该基底内,其中该第二有源区域上设有串接在同一行上的第二存储器单元串包含多个第二储存晶体管、第三选择栅极晶体管包含第四栅极长度以及第四选择栅极晶体管包含第五栅极长度,其中,该第三选择栅极晶体管包含第二凹入式栅极沟道,该第四选择栅极晶体管包含第二水平式栅极沟道,其中,该等储存晶体管分别具有第六栅极长度,

其中,该第一选择栅极晶体管和该第三选择栅极晶体管排列在同一列上,而该第二选择栅极晶体管和该第四选择栅极晶体管排列在同一列上。

5.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第一选择栅极晶体管紧邻该第三选择栅极晶体管。

6.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第二选择栅极晶体管紧邻该第四选择栅极晶体管。

7.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第一存储器单元串包含多个第一双位储存晶体管单元。

8.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第二存储器单元串包含多个第二双位储存晶体管单元。

9.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第四栅极长度、第五栅极长度以及第六栅极长度相等。

10.如权利要求4所述的快闪存储器,其中该第一栅极长度、第二栅极长度以及第三栅极长度相等。

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