[发明专利]校准电路、半导体器件及调整半导体器件输出特性的方法

权利要求书

1.一种校准电路，包括：

连接到校准端的复制缓冲器；

输出基准电压的基准电压发生电路；

将校准端的电压与基准电压相比较的比较电路；

基于所述比较电路的输出改变所述复制缓冲器的阻抗的阻抗调整电路；以及

能够改变从所述基准电压发生电路输出的基准电压电平的基准电压调整电路。

2.如权利要求1所述的校准电路，其中，所述基准电压发生电路产生具有相互不同电平的多个基准电压，且所述基准电压调整电路选择所述多个基准电压之一。

3.如权利要求2所述的校准电路，其中，所述基准电压调整电路包括：基于选择信号从多个基准电压中选择任意一个基准电压的选择器；和产生所述选择信号的选择信号发生单元，

其中所述选择信号发生单元包括非易失性存储器元件。

4.如权利要求3所述的校准电路，其中，所述非易失性存储器元件是电可写元件。

5.如权利要求4所述的校准电路，其中，所述非易失性存储器元件是反熔丝。

6.如权利要求2至5的任意一项所述的校准电路，其中，所述基准电压发生电路包括高阻部分和低阻部分，且从所述低阻部分取得多个基准电压。

7.如权利要求6所述的校准电路，其中，所述高阻部分包括扩散层电阻器，且所述低阻部分包括布线电阻器。

8.如权利要求1至5的任意一项所述的校准电路，其中，所述复制缓冲器具有上拉功能或下拉功能。

9.一种半导体器件，包括：

数据输出端；

校准端；

连接到所述数据输出端的输出缓冲器；以及

校准电路，

其中所述输出缓冲器的一部分具有与所述复制缓冲器相同的电路结构，所述校准电路包括：

连接到所述校准端的复制缓冲器；

输出基准电压的基准电压发生电路；

将校准端的电压与基准电压相比较的比较电路；

基于所述比较电路的输出，改变所述复制缓冲器的阻抗的阻抗调整电路；以及

能够改变从所述基准电压发生电路输出的基准电压电平的基准电压调整电路。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中，通过所述阻抗调整电路调整所述输出缓冲器的输出阻抗。

11.一种校准电路，包括：

连接到校准端的第一复制缓冲器；

具有与第一复制缓冲器相同的电路结构的第二复制缓冲器；

连接到第二复制缓冲器的第三复制缓冲器；

分别产生第一和第二基准电压的第一和第二基准电压发生电路；

将校准端的电压与第一基准电压相比较的第一比较电路；

将第二和第三复制缓冲器的节点处的电压与第二基准电压相比较的第二比较电路；

基于第一比较电路的输出改变第一和第二复制缓冲器的输出阻抗的第一阻抗调整电路；

基于第二比较电路的输出改变第三复制缓冲器的输出阻抗的第二阻抗调整电路；以及

分别调整第一和第二基准电压的第一和第二基准电压调整电路。

12.如权利要求11所述的校准电路，其中，所述第一和第二复制缓冲器具有上拉功能和下拉功能之一，且所述第三复制缓冲器具有上拉功能和下拉功能的另一个。