[发明专利]外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 200710148267.5 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140868A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 中原信司;坂井正人;土肥敬幸 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/30;H01L21/306;H01L21/31;H01L21/304;C30B33/00;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙秀武;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
1.一种外延晶片的制造方法，其包括以下工序：在硅单晶片的主表面上使硅外延生长的工序；用特定的处理液在100℃以下的温度下处理所述晶片的主表面，将附着在所述晶片主表面的颗粒除去的同时形成规定膜厚的氧化膜的晶片平坦化前处理工序；对所述主表面进行镜面抛光的表面抛光工序。
2.权利要求1所述的外延晶片的制造方法，其中所述氧化膜的规定厚度为5～30的范围。
3.权利要求1或2所述的外延晶片的制造方法，其中所述特定的处理液是含有氧化剂的液体。
4.权利要求3所述的外延晶片的制造方法，其中所述氧化剂为臭氧和/或双氧水。
5.权利要求1～4任一项所述的外延晶片的制造方法，其中在所述晶片平坦化前处理工序之前还具有利用含氢氟酸的溶液将自然氧化膜除去的工序。
6.权利要求1～4任一项所述的外延晶片的制造方法，其中所述硅单晶片是双面抛光的{110}晶片。
7.权利要求1～4任一项所述的外延晶片的制造方法，其中所述表面抛光工序是仅在晶片的主表面或者正反两面上实施镜面抛光的工序。
8.权利要求1～4任一项所述的外延晶片的制造方法，其中在所述表面抛光工序之前还具有对晶片的边缘部表面进行镜面抛光的边缘抛光工序。
9.权利要求8所述的外延晶片的制造方法，其中在所述外延生长工序和所述边缘抛光工序之间、以及所述边缘抛光工序和所述表面抛光工序之间中的至少一个间进行所述晶片平坦化前处理工序。
10.一种外延晶片，其为通过权利要求1～4任一项所述的制造方法制造的外延晶片，其特征在于，在主表面上检测出来的LPD的最小尺寸为100nm以下。
11.一种外延晶片，其为通过权利要求1～4任一项所述的制造方法制造的外延晶片，其特征在于，存在于主表面上的LPD的检测尺寸为100nm以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
