[发明专利]硅衬底制造方法、液滴喷头制造方法及液滴喷出装置制造方法

权利要求书

1.一种硅衬底的制造方法，其特征在于，在硅基体材料表面的构图部分形成氮化硅膜后，在所述构图部分以外的所述硅基体材料表面部分形成氧化硅膜，

去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，并蚀刻所述硅基体材料。

2.一种硅衬底的制造方法，其特征在于，在硅基体材料表面形成氧化硅膜，

在所述硅基体材料表面的构图部分从所述氧化硅膜上形成氮化硅膜后，在所述硅基体材料表面的所述构图部分以外的部分再形成氧化硅膜，

去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，蚀刻所述硅基体材料。

3.根据权利要求2所述的硅衬底的制造方法，其特征在于，对成膜于所述氧化硅膜上的氮化硅膜实施抗蚀剂构图并进行蚀刻，将所述氮化硅膜形成为所述硅基体材料的构图形状。

4.一种液滴喷头的制造方法，其特征在于，采用如下硅衬底的制造方法制造液滴喷头，

所述硅衬底的制造方法在硅基体材料表面的构图部分形成氮化硅膜后，在所述构图部分以外的所述硅基体材料表面部分形成氧化硅膜，

去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，并蚀刻所述硅基体材料。

5.一种液滴喷头的制造方法，其特征在于，采用如下硅衬底的制造方法制造液滴喷头，

所述硅衬底的制造方法在硅基体材料表面形成氧化硅膜，

在所述硅基体材料表面的构图部分从所述氧化硅膜上形成氮化硅膜后，在所述硅基体材料表面的所述构图部分以外的部分再形成氧化硅膜，

去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，蚀刻所述硅基体材料。

6.一种液滴喷头的制造方法，所述液滴喷头至少包括：喷嘴衬底，其具有多个喷嘴孔；腔衬底，其具备多个独立的喷出室，所述多个独立的喷出室具有与各喷嘴孔连通的喷嘴连通孔，使室内产生压力而从所述喷嘴孔喷出液滴；贮存室衬底，其具有相对于所述喷出室共用连通的贮存室，所述液滴喷头的制造方法的特征在于，

所述贮存室衬底由硅基体材料构成，

采用如下硅衬底的制造方法制造液滴喷头，所述硅衬底的制造方法在所述硅基体材料表面的构图部分形成氮化硅膜后，在所述构图部分以外的所述硅基体材料表面部分形成氧化硅膜，

去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，并蚀刻所述硅基体材料。

7.一种液滴喷头的制造方法，所述液滴喷头至少包括：喷嘴衬底，其具有多个喷嘴孔；腔衬底，其具备多个独立的喷出室，所述多个独立的喷出室具有与各喷嘴孔连通的喷嘴连通孔，使室内产生压力而从所述喷嘴孔喷出液滴；贮存室衬底，其具有相对于所述喷出室共用连通的贮存室，所述液滴喷头的制造方法的特征在于，

所述贮存室衬底由硅基体材料构成，

采用如下硅衬底的制造方法制造液滴喷头，所述硅衬底的制造方法在所述硅基体材料表面形成氧化硅膜，

在所述硅基体材料表面的构图部分从所述氧化硅膜上形成氮化硅膜后，在所述硅基体材料表面的所述构图部分以外的部分再形成氧化硅膜，

去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，蚀刻所述硅基体材料。

8.根据权利要求6或7所述的液滴喷头的制造方法，其特征在于，在所述硅基体材料表面的成为贮存室及电极取出口的构图部分形成氮化硅膜后，在所述构图部分以外的所述硅基体材料表面部分形成氧化硅膜，

去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，蚀刻所述硅基体材料，形成所述贮存室及电极取出口。

9.一种液滴喷头的制造方法，所述液滴喷头至少包括：喷嘴衬底，其具有多个喷嘴孔；腔衬底，其具备多个独立的喷出室，所述多个独立的喷出室具有与各喷嘴孔连通的喷嘴连通孔，使室内产生压力而从所述喷嘴孔喷出液滴；贮存室衬底，其具有相对于所述喷出室共用连通的贮存室，所述液滴喷头的制造方法的特征在于，

所述贮存室衬底由硅基体材料构成，

在所述硅基体材料表面的成为贮存室及电极取出口的构图部分形成氮化硅膜后，在所述硅基体材料表面的所述构图部分以外的部分形成氧化硅膜，

从与形成有所述氮化硅膜的面相反侧的面蚀刻所述硅基体材料，形成所述喷嘴连通孔，

形成该喷嘴连通孔后去除所述氮化硅膜，使所述构图部分的硅基体材料露出，蚀刻所述硅基体材料，形成所述贮存室及电极取出口。